[發明專利]用于寫緩沖器閃存編程和雙字閃存編程的編程方法

無效

• 申請號: 200710102994.8
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101071643A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 格雷格·阿米登;薩米勒·阿西姆·阿登米爾
• 申請（專利權）人: 懷斯特爾技術有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C29/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 王玉雙

優先權

本專利申請要求2006年5月4日提交的美國臨時專利申請60/797,716的優先權。對美國臨時專利申請60/797,716的全部公開通過參考援引于此。相關申請

本申請涉及下列同時提交的美國專利申請，它們通過參考援引于此：

美國專利申請號＿＿；2006年6月15日提交、題為“用于對NAND閃存和NOR/NAND組合閃存進行編程的閃存編程器”，發明人為Amidon等；

美國專利申請號＿＿；2006年6月15日提交、題為“在線測試期間閃存的并行編程”，發明人為Amidon等。

技術領域

本發明通常涉及可編程器件，更特別地，涉及在進行在線測試(in-circuittest)期間對閃存器件進行寫緩沖器和雙字編程。

背景技術

產品產量較大的制造商有幾種選擇用于對產品內的可編程器件進行編程。一種選擇是在把器件裝配和焊接到印制電路板(PCB)之前對器件進行編程。另一種選擇是在把器件焊接到PCB之后對器件進行編程。

由于在后面的制造過程中才對部件進行編程的本質特性，板上編程(onboard?programming)通常更加靈活。在后面的過程中出現產品定制時，重寫的可能性較少。將可編程器件送出進行編程可以造成兩天或十天的延時。這種延時導致需要手頭可以得到長達十天的預備要編程的器件。當編程出現變化時，手頭和在流水線上的預編程器件需要重新編程。在板上對器件進行編程則將這兩天到十天的存貨減少到0，將重新編程的需要減少到僅僅需要對已經生產的PCB重新編程，而對已經生產的PCB重新編程可能在任一情況中都需要。

在板上對器件編程有幾種選擇。常用的方法是使用在線測試器(ICT)以下載代碼到器件。在產品產量較大的制造環境中，下載時間加上實際ICT測試時間必須在制造過程的時間要求之內，否則在ICT中就可能形成瓶頸。對閃存編程速度的改進可以消除這種瓶頸。在ICT在要求的時間幀之內完成的編程幾乎是免費的，但是在殼體外或者在分離的平臺上執行的編程可以是很昂貴的。當已經執行了在線測試時，如果使用ICT完成編程，則費用可能接近為0。編程速度對于實現接近0的費用是非常關鍵的。

通常，ICT使用向量處理器進行測試和編程。但是，閃存器件的幾種可選的編程對于基于向量的系統并不奏效。例如，在Spansion?LLC?MirrorBitTM閃存家族中使用的寫緩沖器模式對于基于向量的系統不奏效。關鍵在于，基于向量的系統擅于使用“固定”的編程算法，但是不能處理動態做決定的編程方法，例如，寫緩沖器模式。

因此，在進行在線測試期間對閃存器件進行緩沖器編程的方法將會是有益的。結果，可以對閃存器件快速編程，從而ICT測試期間編程費用接近免費。

發明內容

下面描述在進行在線測試期間用于對閃存器件進行編程的方法和系統。方法包括：讀取存儲在所述閃存器件中的可執行代碼；將所述可執行代碼插入陣列，其中所述可執行代碼的每一行被插入到所述陣列中的各行，其中所述陣列中的每一行具有相同數目的位；對所述陣列中具有數據的行的數目進行計數；以及提供所述陣列和所述陣列中具有數據的行的數目作為輸出。該方法還包括將所述行的計數調整為循環程序中使用的行的數目的倍數；改變endian格式；使用地址偏移值以在第一閃存地址開始；使用所述陣列和所述行的計數以對所述閃存器件一次編程多于一個字；使用所述陣列和所述行的計數來對所述閃存器件進行寫緩沖器編程；和/或使用所述陣列和所述行的計數來對所述閃存器件進行雙字編程。

另一種用于在進行在線測試期間對閃存器件進行編程的方法包括：讀取存儲在所述閃存器件中的可執行代碼；將所述可執行代碼插入陣列；對所述陣列中具有數據的行的數目進行計數；識別扇區地址位置以啟動編程；以及使用所述陣列對所述閃存器件進行編程，所述編程始于識別出的扇區地址位置，并基于所述行的計數結束。所述可執行代碼的每一行被插入到所述陣列中的各行，其中所述陣列中的每一行具有相同數目的位。

一種用于在進行在線測試期間對閃存器件進行編程的系統包括：處理器；數據存儲器；機器語言指令，存儲在所述數據存儲器中，可由所述處理器執行以讀取存儲在所述閃存器件中的可執行代碼，將所述可執行代碼插入陣列，其中所述可執行代碼的每一行被插入到所述陣列中的各行，所述陣列中的每一行具有相同數目的位，對所述陣列中具有數據的行的數目進行計數，以及使用所述陣列和所述行的計數以對所述閃存器件一次編程多于一個字。