[發(fā)明專利]電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710102992.9
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101067985A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑島一
• 申請（專利權(quán)）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;陳景峻

1.一種電子器件，其特征在于，

具有：形成在襯底上的第1導(dǎo)體；

形成在所述第1導(dǎo)體上的介質(zhì)膜；及

形成在所述介質(zhì)膜上且比所述第1導(dǎo)體薄的第2導(dǎo)體，

電容元件由所述第1導(dǎo)體、所述第2導(dǎo)體及所述介質(zhì)膜構(gòu)成，

設(shè)所述第1導(dǎo)體的厚度設(shè)為t1；

所述第2導(dǎo)體的厚度設(shè)為t2；及

所述第2導(dǎo)體的粒徑設(shè)為x，

則有t1＞t2，

x≤t2。

2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，

所述電容元件的電極面積由所述第2導(dǎo)體的面積規(guī)定。

3.如權(quán)利要求1或2所述的電子器件，其特征在于，

所述第2導(dǎo)體的整個表面是平坦的。

4.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，

還有在所述第2導(dǎo)體上形成的絕緣膜。

5.如權(quán)利要求4所述的電子器件，其特征在于，

在所述第2導(dǎo)體上的所述絕緣膜的一部分上，形成所述第2導(dǎo)體 表面露出的開口部。

6.如權(quán)利要求5所述的電子器件，其特征在于，

還有在所述開口部內(nèi)形成的、比所述第2導(dǎo)體厚的第3導(dǎo)體。

7.如權(quán)利要求6所述的電子器件，其特征在于，

所述第3導(dǎo)體延伸到所述絕緣膜上。

8.如權(quán)利要求7所述的電子器件，其特征在于，

所述第1導(dǎo)體和所述第3導(dǎo)體形成在不同層上。

9.如權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，

所述絕緣膜的表面是平坦的。

10.如權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，

所述絕緣膜形成在所述襯底的整個表面上。

11.如權(quán)利要求10所述的電子器件，其特征在于，

還有與所述第1導(dǎo)體在同一層形成的第4導(dǎo)體，及

隔著絕緣膜與所述第4導(dǎo)體相對配置的第5導(dǎo)體。

12.如權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，

所述介質(zhì)膜的膜厚比所述絕緣膜的膜厚薄。

13.如權(quán)利要求4至8中任一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，

所述介質(zhì)膜的介電常數(shù)大于或等于所述絕緣膜的介電常數(shù)。

14.如權(quán)利要求1，2或者4至8中任一項(xiàng)所述的電子器件，其 特征在于，

所述介質(zhì)膜僅形成在所述第1導(dǎo)體上。

15.一種電子器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底上形成第1導(dǎo)體；

在所述第1導(dǎo)體上形成介質(zhì)膜；

在所述介質(zhì)膜上形成比所述第1導(dǎo)體薄的第2導(dǎo)體；

由所述第1導(dǎo)體、所述第2導(dǎo)體及所述介質(zhì)膜構(gòu)成電容元件；

在所述第2導(dǎo)體上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成露出所述第2導(dǎo)體表面的開口部；以及

在所述開口部內(nèi)形成比所述第2導(dǎo)體厚的第3導(dǎo)體，

設(shè)所述第1導(dǎo)體的厚度設(shè)為t1；

所述第2導(dǎo)體的厚度設(shè)為t2；及

所述第2導(dǎo)體的粒徑設(shè)為x，

則有t1＞t2，

x≤t2。