[發(fā)明專利]晶片的分割方法及分割裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710102852.1
• 申請日: 2007-05-09
• 公開（公告）號: CN101071791A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)家一馬;中村勝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪斯科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/301;B28D5/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 胡建新

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種晶片分割方法，該晶片分割方法將在表面上以格子 狀形成多個分割預(yù)定線、并在由該多個分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域中形 成有器件的晶片，沿該多個分割預(yù)定線分割成單個芯片。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造工序中，在近似圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表面， 由以格子狀排列的稱為分割道(street)的分隔預(yù)定線劃分了多個區(qū)域， 在此劃分的區(qū)域中形成LC、LSI等電路。并且，通過沿分割預(yù)定線切斷 半導(dǎo)體晶片來分割形成有電路的區(qū)域來制造單個的半導(dǎo)體芯片。此外， 通過沿規(guī)定的分割預(yù)定線切斷在藍(lán)寶石基板的表面層疊氮化鉀類化合物 半導(dǎo)體等的光器件晶片，來分割成單個的發(fā)光二極管、CCD等光器件， 這廣泛利用于電氣設(shè)備中。

沿上述的半導(dǎo)體晶片和光器件晶片等分割預(yù)定線的切斷，通常由稱 為劃片機(jī)(dicer)的切削裝置來執(zhí)行。此切削裝置具備：保持半導(dǎo)體晶 片和光盤晶片等的被加工物的卡盤臺；用于切削被該卡盤臺保持的被加 工物的切削單元；以及使卡盤臺和切削裝置相對地移動的切削進(jìn)單元。 切削單元包含旋轉(zhuǎn)心軸和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動安裝于旋轉(zhuǎn)心軸上的切削刀片及旋轉(zhuǎn) 心軸的驅(qū)動機(jī)構(gòu)。切削刀片由圓盤狀的基臺和安裝在該基臺的側(cè)面外周 部的環(huán)狀的刀刃組成，例如，刀刃通過電鑄將粒徑3μm左右的金剛石 磨粒固定在基臺上，形成20μm左右的厚度。

然而，由于藍(lán)寶石基板、碳化硅基板等由于莫氏(モ-ス)硬度高， 所以不一定容易地被上述切削刀片切斷。并且，由于切削刀片具有20μ m左右的厚度，所以劃分器件的分割預(yù)定線的寬度需要為50μm左右， 存在分割道的占有面積比例變高且生產(chǎn)效率降低的問題。

另一方面，近年來，作為分割半導(dǎo)體晶片等板狀被加工物的方法， 還嘗試了激光加工方法，該方法使用透射該被加工物的脈沖激光光線， 對需要分割的區(qū)域的內(nèi)部對準(zhǔn)聚光點(diǎn)來照射脈沖激光光線。使用該激光 加工方法的分割方法，從被加工物一側(cè)的側(cè)面向內(nèi)部對準(zhǔn)聚光點(diǎn)，照射 對被加工物具有透射性的紅外光區(qū)域的脈沖激光光線，在被加工物的內(nèi) 部沿分割預(yù)定線連續(xù)地形成變質(zhì)層，通過沿著因形成此變質(zhì)層而強(qiáng)度下 降的分割預(yù)定線施加外力，來分割被加工物。(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)

[專利文獻(xiàn)1]特許第3408805號公報

如上所述，沿著沿分割預(yù)定線形成變質(zhì)層的晶片分割預(yù)定線施加外 力，將晶片分割成單個的芯片時，為了不使被分割出的芯片分散，將晶 片粘貼在保持帶上。并且，為了使粘貼在保持帶上的晶片在分割成單個 芯片后容易進(jìn)行焊接工序，將其背面粘貼在保持帶上。因此，晶片成為 暴露表面的狀態(tài)。

而且，沿形成有變質(zhì)層的分割預(yù)定線施加外力分割晶片時，微細(xì)的 碎片會飛濺，該細(xì)微碎片附著在器件上，在引線鍵合時就會成為引起斷 線的原因。此外，在器件為發(fā)光二極管或CCD等光器件時，若附著微細(xì) 碎片，則存在品質(zhì)顯著下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而做出的，其主要技術(shù)課題是提供一種晶片 的分割方法及分割裝置，在沿形成有變質(zhì)層的分割預(yù)定線施加外力來分 割晶片時，使飛濺的微細(xì)碎片不會附著在器件上。

為了解決上述主要課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片分割方法，將 在表面上以格子狀形成有多個分割預(yù)定線、并且在由多個分割預(yù)定線劃 分的多個區(qū)域形成器件、在內(nèi)部沿多個分割預(yù)定線形成有變質(zhì)層的晶片， 在將該晶片的背面粘貼在環(huán)狀框架上所安裝的保持帶上的狀態(tài)下，沿多 個分割預(yù)定線斷裂，其特征在于，

在通過保持帶以晶片的表面為下側(cè)保持了支持晶片的環(huán)狀框架的狀 態(tài)下，沿形成有變質(zhì)層的分割預(yù)定線對晶片施加外力，沿分割預(yù)定線斷 裂晶片。

最好對在環(huán)狀框架上安裝的保持帶上粘貼了背面的晶片的表面供給 經(jīng)離子化的空氣，去除晶片上所帶的靜電。

此外，最好沿分割預(yù)定線對在環(huán)狀框架上所安裝的保持帶上粘貼了 背面的晶片施加的外力是通過擴(kuò)張保持帶來施加的。

此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片分割裝置，將在表面上以格子狀 形成有多個分割預(yù)定線、并且在由多個分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域形成 器件、在內(nèi)部沿多個分割預(yù)定線形成有變質(zhì)層的晶片，在將該晶片的背 面粘貼在環(huán)狀框架上所安裝的保持帶上的狀態(tài)下，沿多個分割預(yù)定線斷 裂，其特征在于，包括：

框架保持單元，保持該環(huán)狀框架；

帶擴(kuò)張單元，擴(kuò)張被該框架保持單元保持的環(huán)狀框架上所安裝的保 持帶；以及