[發明專利]薄膜晶體管的制造方法和薄膜晶體管以及顯示裝置

無效

• 申請號: 200710102579.2
• 申請日: 2007-05-16
• 公開（公告）號: CN101075659A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 川島紀之;野本和正;野元章裕
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05;H01L21/28;H01L27/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種薄膜晶體管的制造方法，所述薄膜晶體管由有機半導體層、柵極絕緣膜和柵極電極依次位于基板上的疊層制成，所述方法包括以下步驟：

通過印刷在所述柵極絕緣膜上圖案化涂布柵極電極材料；以及

進行熱處理，以由于圖案化涂布的柵極電極材料的干燥固化而形成所述柵極電極，

所述柵極絕緣膜的接觸所述有機半導體層的表面由憎水性材料構成。

2.按照權利要求1的薄膜晶體管的制造方法，其中：

所述印刷是絲網印刷。

3.按照權利要求1的薄膜晶體管的制造方法，其中：

所述柵極絕緣膜具有其中憎水性材料制成的第一絕緣層和交鏈高分子量材料制成的第二絕緣層依次疊置在所述有機半導體層上的疊層結構。

4.按照權利要求1的薄膜晶體管的制造方法，其還包括步驟：

在形成所述柵極絕緣膜的步驟之前，在所述基板上或所述有機半導體層上形成源極電極或漏極電極。

5.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機半導體層、柵極絕緣膜和柵極電極依次位于基板上的疊層，其中：

通過熱處理通過印刷被圖案化涂布的柵極電極材料來形成柵極電極，

所述柵極絕緣膜的接觸所述有機半導體層的表面由憎水性材料構成。

6.一種顯示裝置，包括：

薄膜晶體管，由有機半導體層、柵極絕緣膜和柵極電極依次位于基板上的疊層制成；和

顯示器件，布置和形成在基板上并連接到所述薄膜晶體管，其中：

通過熱處理經印刷被圖案化涂布的柵極電極材料來形成柵極電極，

所述柵極絕緣膜的接觸所述有機半導體層的表面由憎水性材料構成。

7.按照權利要求6的顯示裝置，其中：

所述薄膜晶體管的源極電極或漏極電極提供在所述基板上或者所述有機半導體層上，

將與所述柵極電極形成在同一層的輔助電容電極和將以覆蓋所述輔助電容電極和所述柵極電極的狀態形成的層間絕緣膜被提供在所述柵極絕緣膜上，以及

所述漏極電極和所述顯示器件通過穿透所述層間絕緣膜和所述柵極絕緣膜的通路彼此相連。

8.按照權利要求6的顯示裝置，其中：

輔助電容電極和處于覆蓋所述輔助電容電極的狀態下的輔助電容絕緣膜提供在所述基板上，

所述薄膜晶體管的源極電極或漏極電極提供在所述輔助電容絕緣膜或所述有機半導體層上，以及

所述顯示裝置的像素電極構造成與同一層中的所述漏極電極相連的狀態。