[發明專利]檢測并校正半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 200710102543.4
• 申請日: 2007-05-14
• 公開（公告）號: CN101308517A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 鄭儀侃;賴志明;劉如淦
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術領域

本發明涉及一種方法，特別涉及一種熱點的方法。?

背景技術

半導體制造的技術不停地發展，使得形態尺寸(feature?size)愈來愈小，如65納米(nanometers)、45納米、或更小。當裝置的設計尺寸縮小時，將比大形態尺寸的裝置更容易發生熱點或其它問題。在接下來的說明里，熱點與裝置的特性有關，而裝置的特性將可能會阻礙裝置，使其無法如預期般地執行。舉例而言，自束(pinching)、橋接(bridging)、盤狀(dishing)、侵蝕(erosion)、RC延遲、金屬線厚度的變化、鋁渣、以及其它特性將可能產生熱點，因而所需裝置的效能。電路的設計以及(或是)處理過程的控制，均可能會產生熱點。因此，具有效能高以及價格低廉的熱點檢測系統及方法是必需的。雖然，目前的裝置及方法能夠達到目的，但并無法完全地符合所有的要求。?

發明內容

本發明至少為解決現有技術的弊端而設計。?

一種檢測并校正半導體裝置的方法，包括提供電路設計；提供第一熱點濾除器，該第一熱點濾除器具有第一熱點規則；將該第一熱點濾除器應用在該電路設計的整體布線，以產生詳細布線；提供第二熱點濾除器，該第二熱點濾除器具有第二熱點規則，該第二熱點濾除器處理熱點所需的最長時間小于該第一熱點濾除器處理熱點所需的最長時間；將該第二熱點濾除器應用在該詳細布線，以產生后詳細布線；以及對該后詳細布線執行rip-up以及重新布線，以產生布局。?

根據本發明所述的方法，其中對該后詳細布線執行rip-up以及重新布線的步驟，包括：提供第三熱點濾除器，該第三熱點濾除器具有第三熱點規則，該第三熱點濾除器處理熱點所需的最長時間小于該第二熱點濾除器處理熱點所需的最長時間；預測該后詳細布線的熱點位置；定義熱點視窗，該熱點視窗包圍每一預設到熱點；以及將該第三熱點濾除器應用在每一熱點視窗，?用以產生該布局，其中將該第三熱點濾除器應用在每一熱點視窗的步驟包括對每一熱點視窗內的線進行rip-up及布線。?

根據本發明所述的方法，其中對每一熱點視窗內的線進行rip-up及布線的步驟限制任何通孔重新布線。?

根據本發明所述的方法，其中對每一熱點視窗內的線進行rip-up及布線的步驟完全地禁止對任何通孔重新布線。?

根據本發明所述的方法，還包括：預測在后詳細布線內的熱點的位置；?

定義一阻隔，該阻隔圍繞每一預測的熱點；以及對通過該阻隔的線進行rip-up及重新布線。?

根據本發明所述的方法，其中該第一、第二及第三熱點濾除器均具有多個熱點規則。?

一種檢測并校正半導體裝置的方法，由電路設計中，得到布局，包括將第一熱點規則組合應用在整體布線，以產生詳細布線；將第二熱點規則組合應用在該詳細布線，以產生后詳細布線；以及將第三熱點規則組合應用在該后詳細布線，以產生該布局。?

根據本發明所述的方法，其中該第二熱點規則組合應用在該詳細布線的最長時間小于該第一熱點規則組合應用在該整體布線的最長時間，并且該第三熱點規則組合應用在該后詳細布線的最長時間小于該第二熱點規則組合應用在該詳細布線的最長時間。?

根據本發明所述的方法，其中將該第三熱點規則組合應用在該后詳細布線的步驟包括：比較該第三熱點規則組合與該后詳細布線的參數；以及修改該后詳細布線以得到該布局，其中該布局并未違反該第三熱點規則組合。?

根據本發明所述的方法，其中修改該后詳細布線的步驟包含rip-up及重新布線。?

根據本發明所述的方法，其中該第三熱點規則組合包括，定義熱點視窗，該熱點視窗圍繞任何被檢測到的熱點，并且rip-up及重新布線針對熱點視窗內的熱點而執行。?

綜上所述，本發明的系統及方法可確認并校正半導體裝置的熱點，因此可以降低成本及制造半導體裝置的時間。?

附圖說明

圖1和2顯示具有盤狀及侵蝕效應的半導體芯片剖面圖。?

圖3及4顯示在半導體芯片上的橋接效應(bridging?effect)的示意圖。?

圖5及6顯示半導體芯片上的自束效應(pinching?effect)。?

圖7為本發明方法的流程圖。?

圖8為本發明的另一可能流程圖。?

圖9及10為本發明的其它可能實施例。?

圖11為本發明的另一可能實施例，以得到最終的布局。?

圖12為執行圖11所示的步驟500的可能實施例。?

圖13為本發明的另一可能實施例。?