[發明專利]適用于噴墨頭芯片的細窄供墨槽制造方法有效
| 申請號： | 200710102498.2 | 申請日： | 2007-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN101293425A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發明（設計）人： | 鄭香京 | 申請（專利權）人： | 研能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B41J2/16 | 分類號： | B41J2/16;G03F7/00;H01L21/027;B41J2/14 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 臺灣省新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 適用于 噴墨 芯片 細窄供墨槽 制造 方法 | ||
1.一種細窄供墨槽的制造方法，其適用于一噴墨頭芯片，該方法至少包含下列步驟：
(a)提供該噴墨頭芯片，該噴墨頭芯片具有相對應的一正面及一背面；
(b)分別覆蓋一第一感光保護膜及一第二感光保護膜于該正面及該背面上；
(c)利用光掩模微影蝕刻工藝于該第一感光保護膜及該第二感光保護膜分別形成相對應的多個第一供墨槽區域開口及多個第二供墨槽區域開口；
(d)于該第一供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該正面進行一單孔噴砂工序，以形成多個第一凹槽；
(e)于該第二供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該背面進行一全面式噴砂工序，以形成多個第二凹槽；以及
(f)于該第二供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該多個第二凹槽進行一單孔噴砂工序，用以分別貫穿該多個第二凹槽，以于該噴墨頭芯片上形成多個供墨槽。
2.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于步驟(f)后還包含下列步驟：
(f1)由該噴墨頭芯片的該正面及該背面移除第一感光保護膜及第二感光保護膜。
3.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該光掩模微影蝕刻工藝為半導體黃光曝光對位及顯影工藝。
4.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該全面式噴砂工序是使用粗噴砂進行加工。
5.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該多個第二凹槽的深度為該噴墨頭芯片厚度的2/3。
6.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該單孔噴砂工序是使用細噴砂進行加工。
7.根據權利要求6所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該單孔噴砂工序是使用一定量定壓噴砂單元來控制該噴嘴進行噴砂工序。
8.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該多個第一凹?槽的深度為30μm～50μm。
9.根據權利要求1所述的細窄供墨槽的制造方法，其特征在于該多個第二凹槽的深度為350μm～450μm。
10.一種細窄供墨槽的制造方法，其是適用于具有175μm以下供墨槽寬度的噴墨頭芯片，該方法至少包含下列步驟：
(a)提供該噴墨頭芯片，其中該噴墨頭芯片具有相對應的一正面及一背面；
(b)分別覆蓋一第一感光保護膜及一第二感光保護膜于該正面及該背面上；
(c)利用一光掩模微影蝕刻工藝于該第一感光保護膜及該第二感光保護膜分別形成相對應的多個第一供墨槽區域開口及多個第二供墨槽區域開口；
(d)于該第一供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該正面進行一單孔噴砂工序，以形成多個第一凹槽；
(e)于該第二供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該背面進行一全面式噴砂工序，以形成多個第二凹槽；以及
(f)于該第二供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該多個第二凹槽進行一單孔噴砂工序，用以分別貫穿該多個第二凹槽，以于該噴墨頭芯片上形成多個供墨槽。?
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