[發明專利]用于磁盤的玻璃基板的制造方法以及磁盤無效
| 申請號: | 200710102496.3 | 申請日: | 2007-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN101064121A | 公開(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發明(設計)人: | 宮谷克明;宮原修;田辺譲;臼井寛;別府義久;砂原一夫;堀江満;柏原智;酒井智弘;金喜則;吉田伊織 | 申請(專利權)人: | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/84 | 分類號: | G11B5/84;G11B5/73;C09K3/14 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 磁盤 玻璃 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發明涉及對用于磁盤的玻璃基板的主平面(principal?plane)進行拋光的方法,還涉及磁盤。?
背景技術
近年來,對用來安裝在硬盤驅動器之類的信息處理裝置上的磁盤的高記錄密度的要求在不斷提高,在此情況下,目前人們廣泛使用玻璃基板來代替常規的鋁基板。?
但是對高記錄密度的要求不斷提高,為滿足這種要求,人們對玻璃基板的主平面進行高精密度拋光的方法提出了各種建議(例如參見JP-A-2006-82138)。?
JP-A-2006-821?38所揭示的發明提出了一種對用于磁盤的玻璃基板(下文中有時簡稱為玻璃基板)的主平面進行高精密度拋光的方法,該方法使用通過有機硅化合物水解形成的硅膠磨粒對主平面進行拋光。?
但是,使用硅膠對玻璃基板的主平面進行高精密度拋光可能會有局限性。例如,硅膠通常在中性狀態下使用,但是硅膠在中性狀態下經常不穩定,可能會發生聚結。因此,可能會造成主平面上表面精密度的離散。?
在此情況下,本發明的目的是提供一種在不使用硅膠的前提下,對玻璃基板的主平面進行高精密度拋光的方法。?
發明內容
本發明提供了一種通過拋光圓形玻璃板,制備用于磁盤的玻璃基板的方法,該方法包括使用包含CeO2晶體粉末的漿液對圓形玻璃板的主平面進行拋光的步驟,所述CeO2晶體粉末通過一種方式制得,使得對包含CeO2的熔體進行驟冷處理,以制得無定形材料,對所述無定形材料進行熱處理,以制得其CeO2晶體已沉淀的無定形材料,對該沉淀了CeO2晶體的無定形材料進行酸處理,從中分離和提取出CeO2晶體粉末。?
本發明還提供了一種包括層疊在用于磁盤的玻璃基板上的多個層的磁盤,所述多個層中包括用作記錄層的磁層,所述玻璃基板是通過上述用來制備用于磁盤的玻璃基板的方法制得的。?
本發明人發現了一種用來制備具有小粒度和高純度的CeO2晶體粉末的新穎的方法。它們使用通過所述制備方法制得的CeO2晶體粉末拋光玻璃基板的主平面,結果發現即使在不使用硅膠的情況下也可進行高精密度拋光,從而完成了本發明。?
根據本發明,可以在不使用硅膠的情況下對玻璃基板的主平面進行高精密度拋光。?
附圖說明
附圖中:?
圖1顯示了制備實施例5中制得的沉淀了CeO2晶體的無定形材料的X射線衍射圖。?
具體實施方式
下面將結合優選的實施方式詳細描述本發明。?
根據本發明用來制造用于磁盤的玻璃基板的方法(下面稱為本發明的制造方法),通常通過以下步驟制造玻璃基板。也即是說,在圓形玻璃板的中心處形成圓孔,并依次進行以下步驟:倒棱加工,對主平面進行研磨,對邊緣表面進行鏡面拋光。然后將這樣處理過的圓形玻璃板層疊起來,對內部周邊邊緣表面進行蝕刻,通過例如噴涂法在所述蝕刻之后的內部周邊邊緣表面上涂敷例如包含聚硅氮烷化合物的液體,然后進行燒制,從而在所述內部周邊邊緣表面上形成涂層膜(保護涂層膜)。然后對內部周邊邊緣表面上形成有涂層膜的各個圓形玻璃板的主平面進行拋光,將其拋光成平坦光滑的表面,從而制得用于磁盤的玻璃基板。?
本發明的制備方法并不限于以上方法。例如可以對內部周邊邊緣表面進行刷式拋光(brush?polishing),而不是在內部周邊邊緣表面上形成保護涂層膜;如JP-A-2006-82138所述,可以將所述主平面進行的研磨步驟分為粗研磨步驟和精密研磨步驟,可以在所述粗研磨步驟和精密研磨步驟之間提供成形處理步驟(在圓形玻璃板的中心穿孔,對邊緣表面進行倒棱加工和進行拋光);或者可以?在主平面拋光步驟之后提供化學回火步驟。不言而喻,在制造中心沒有圓孔的玻璃基板的時候,則無需在圓形玻璃板的中心處穿孔。?
所述對主平面的研磨通常使用氧化鋁磨粒、或者金屬氧化物磨粒進行,所述磨粒包括平均粒度為6-8微米的氧化鋁。?
研磨后的主平面通常通過以下步驟進行拋光。?
首先使用包含平均粒度為0.9-1.8微米的氧化鈰的漿液和聚氨酯拋光墊對主平面進行拋光。玻璃板厚度的損失(去除量)通常為30-40微米。?
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