[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710102484.0
• 申請日: 2007-04-27
• 公開（公告）號: CN101064320A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 山崎舜平;荒井康行;川俁郁子
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/76
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 李玲

1.一種半導體器件，包括：

位于玻璃基片上的基膜；以及

位于所述基膜上的存儲器元件和晶體管，

其中所述存儲器元件包括：

位于所述基膜上的第一元件區域；

位于所述第一元件區域上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的電荷積累層；

位于所述電荷積累層上的第二絕緣層；以及

位于所述第二絕緣層上的控制柵極電極層，

其中所述晶體管包括：

位于所述基膜上的第二元件區域；

位于所述第二元件區域上的第三絕緣層；以及

位于所述第三絕緣層上的柵極電極層，

其中所述第一元件區域、所述第二元件區域以及位于所述第一元件區域與 所述第二元件區域之間的元件隔離區域被包括在半導體層中，

其中所述元件隔離區域是通過將氧、氮和碳中的至少一種雜質元素添加到 所述半導體層形成的；并且

其中與所述第一元件區域所包括的第一源極和漏極區域，以及所述第二元 件區域所包括的第二源極和漏極區域相比，所述元件隔離區域具有更高的阻 抗。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層的表面 是平面。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一源極和漏極 區域以及所述第二源極和漏極區域被所述元件隔離區域電隔離開。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述元件隔離區域中 所包括的雜質元素的濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于4×10²²cm^-3。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述元件隔離區域的 電阻率大于或等于1×10¹⁰Ω·cm。

6.一種半導體器件，包括：

位于玻璃基片上的基膜；以及

位于所述基膜上的存儲器元件和晶體管，

其中所述存儲器元件包括：

位于所述基膜上的第一元件區域；

位于所述第一元件區域上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的電荷積累層；

位于所述電荷積累層上的第二絕緣層；以及

位于所述第二絕緣層上的控制柵極電極層，

其中所述晶體管包括：

位于所述基膜上的第二元件區域；

位于所述第二元件區域上的第三絕緣層；以及

位于所述第三絕緣層上的柵極電極層，

其中所述第一元件區域、所述第二元件區域以及位于所述第一元件區域與 所述第二元件區域之間的元件隔離區域被包括在半導體層中，

其中所述第二絕緣層的厚度與所述第三絕緣層的厚度不同，

其中所述元件隔離區域是通過將氧、氮和碳中的至少一種雜質元素添加到 所述半導體層形成的；

其中與所述第一元件區域所包括的第一源極和漏極區域，以及所述第二元 件區域所包括的第二源極和漏極區域相比，所述元件隔離區域具有更高的阻 抗，并且

其中與所述第一元件區域所包括的第一溝道形成區域，以及所述第二元件 區域所包括的第二溝道形成區域相比，所述元件隔離區域具有更低的結晶度。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層的表面 是平面。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一源極和漏極 區域以及所述第二源極和漏極區域被所述元件隔離區域電隔離開。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述元件隔離區域中 所包括的雜質元素的濃度大于或等于1×10²⁰cm^-3且小于4×10²²cm^-3。