[發明專利]場效應晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200710102331.6
• 申請日: 2007-04-30
• 公開（公告）號: CN101162731A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 天清宗山;戶塚正裕
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;劉宗杰

1.一種場效應晶體管，在半導體層上配設有T型或Γ型柵電極、通過n型參雜的半導體區設置的漏電極和源電極，其特征在于：

具有將上述柵電極的周圍和上述半導體層的表面覆蓋的膜厚小于等于50nm的絕緣膜，和

以催化劑CVD法堆積而將上述絕緣膜覆蓋的氮化硅膜，

利用上述氮化硅膜，在上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分和上述半導體層之間形成空洞。

2.權利要求1記載的場效應晶體管，其特征在于：利用上述催化劑CVD法堆積的氮化硅膜的平坦處的膜厚為200nm以上，

上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分和上述半導體層之間的最短距離小于等于上述氮化硅膜的膜厚。

3.權利要求1記載的場效應晶體管，其特征在于：

上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分向上述漏電極側延伸的長度大于等于0.9μm。

4.權利要求2記載的場效應晶體管，其特征在于：

上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分向上述漏電極側延伸的長度大于等于0.9μm。

5.權利要求1至4的任何一項記載的場效應晶體管，其特征在于：

上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分向上述漏電極側延伸的長度大于等于1μm，

在上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分和上述半導體層之間，從上述柵電極的相當于傘柄的部分的側面向漏電極方向的不到1μm的區域由上述氮化硅膜填充，其余的區域形成空洞。

6.一種場效應晶體管的制造方法，是在半導體層上配設有T型或Γ型柵電極的場效應晶體管的制造方法，其特征在于：

包括在上述柵電極的周圍和上述半導體層的表面形成膜厚小于等于50nm的絕緣膜的工序，和

通過以催化劑CVD法堆積氮化硅膜，在上述柵電極的相當于張開的傘罩的部分和上述半導體層之間形成空洞的工序。