[發明專利]形成半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200710102284.5
• 申請日: 2007-05-09
• 公開（公告）號: CN101071769A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 金柱然;元皙俊;金洛煥;宋珉宇;金元洪;樸廷珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;常桂珍

1、形成半導體器件的方法，包括：

利用金屬有機化學氣相沉積工藝在基底上形成第一導電金屬化合物層；

利用物理氣相沉積工藝在所述第一導電金屬化合物層上形成第二導電金屬化合物層，其中，在從形成所述第一導電金屬化合物層到形成所述第二導電金屬化合物層的整個過程中，將所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層保持在低于大氣壓的壓力下。

2、如權利要求1所述的方法，其中，在單個的沉積裝置中形成所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層，

其中，所述沉積裝置包括傳送室、附著于所述傳送室的第二側的第一工藝室和附著于所述傳送室的第三側的第二工藝室，

其中，分別在所述第一工藝室和所述第二工藝室中形成所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層，

其中，通過具有低于大氣壓的壓力的所述傳送室將具有所述第一導電金屬化合物層的基底轉移到所述第二工藝室中。

3、如權利要求2所述的方法，其中，所述傳送室具有大約0.1托的壓力或小于0.1托的壓力。

4、如權利要求1所述的方法，還包括在形成所述第二導電金屬化合物層之前，對所述第一導電金屬化合物層施加等離子體處理工藝。

5、如權利要求4所述的方法，其中，所述第一導電金屬化合物層具有大約200-800的厚度。

6、如權利要求4所述的方法，其中，在大約750瓦或小于750瓦的功率下實施所述等離子體處理工藝。

7、如權利要求4所述的方法，其中，在所述第一工藝室中利用原位工藝來實施所述等離子體處理工藝。

8、如權利要求4所述的方法，其中，利用氫等離子體和氮等離子體中的至少一種來實施所述等離子體處理工藝。

9、如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述基底上形成下電極；

在形成所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層之前，在所述下電極上形成介電層，其中，在所述介電層上形成所述第一導電金屬化合物層，且所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層構成上電極。

10、如權利要求9所述的方法，其中，所述下電極具有圓柱形狀和表面。

11、如權利要求10所述的方法，其中，將所述第一導電金屬化合物層附著于所述下電極的表面，所述第二導電金屬化合物層填充由所述下電極的內壁包圍的空間。

12、如權利要求1所述的方法，其中，所述第二導電金屬化合物層由與所述第一導電金屬化合物層的材料相同的材料制成。

13、如權利要求1所述的方法，其中，所述第二導電金屬化合物層由與所述第一導電金屬化合物層的材料不相同的材料制成。

14、如權利要求1所述的方法，其中，所述第一導電金屬化合物層為第一金屬氮化物層，所述第二導電金屬化合物層為第二金屬氮化物層。

15、如權利要求1所述的方法，其中，利用金屬有機前驅物來實施所述金屬有機化學氣相沉積工藝。

16、如權利要求15所述的方法，其中，所述金屬有機前驅物包含氨基。

17、如權利要求14所述的方法，其中，所述第一金屬氮化物層為氮化鈦層、氮化鉭層、氮化鉿層和氮化鋯層中的至少一種。

18、如權利要求14所述的方法，其中，所述第二金屬氮化物層為氮化鈦層、氮化鉭層、氮化鉿層和氮化鋯層中的至少一種。

19、如權利要求2所述的方法，還包括在形成所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層之前，在第三工藝室中清洗所述基底，其中，所述第三工藝室附著在所述傳送室的第四側。

20、如權利要求2所述的方法，還包括在第三工藝室中將所述第一導電金屬化合物層和所述第二導電金屬化合物層退火，其中，所述第三工藝室附著在所述傳送室的第四側。