[發明專利]存儲器結構及其操作方法

有效

• 申請號: 200710102076.5
• 申請日: 2007-05-14
• 公開（公告）號: CN101308876A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 吳昭誼
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/792
• 分類號: H01L29/792;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種存儲器結構，其特征在于包括：

一基底；

一電荷捕捉層，直接配置于該基底上；

一阻擋層，配置于該電荷捕捉層上；

一導體層，配置于該阻擋層上；以及

兩摻雜區，分別配置于該導體層兩側的該基底中，其中

該存儲器結構為動態隨機存取存儲器或靜態隨機存取存儲器。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于其中該電荷捕捉層的 材料包括高介電常數捕捉材料。

3.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于其中該電荷捕捉層的 材料包括氮化硅、氧化鋁或氧化鉿。

4.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于其中該阻擋層的材料 包括高介電常數阻擋材料。

5.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于其中該阻擋層的材料 包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氧化鉿。

6.一種立體存儲器結構，其特征在于包括：

一基底；

一第一隔離層，配置于該基底上；以及

一第一存儲器結構，包括：

一多晶硅基底，配置于該第一隔離層上；

一電荷捕捉層，直接配置于該多晶硅基底上；

一阻擋層，配置于該電荷捕捉層上；

一導體層，配置于該阻擋層上；以及

兩摻雜區，分別配置于該導體層兩側的該多晶硅基底中，其中

該第一存儲器結構為動態隨機存取存儲器或靜態隨機存取存儲器。

7.根據權利要求6所述的立體存儲器結構，其特征在于更包括：

一第二隔離層，配置于該第一存儲器結構上；以及

一第二存儲器結構，配置于該第二隔離層上，且具有與該第一存儲器 結構相同的結構。

8.根據權利要求7所述的立體存儲器結構，其特征在于其中該第二存儲 器結構為動態隨機存取存儲器或靜態隨機存取存儲器。

9.根據權利要求6所述的立體存儲器結構，其特征在于其中該電荷捕捉 層的材料包括高介電常數捕捉材料。

10.根據權利要求6所述的立體存儲器結構，其特征在于其中該電荷捕捉 層的材料包括氮化硅、氧化鋁或氧化鉿。

11.根據權利要求6所述的立體存儲器結構，其特征在于其中該阻擋層的 材料包括高介電常數阻擋材料。

12.根據權利要求6所述的立體存儲器結構，其特征在于其中該阻擋層的 材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氧化鉿。

13.一種存儲器結構的操作方法，其特征在于其中該存儲器結構包括一 基底、一電荷捕捉層、一阻擋層、一導體層及兩摻雜區，該電荷捕捉層直 接配置于該基底上，該阻擋層配置于該電荷捕捉層上，該導體層配置于該 阻擋層上，該些摻雜區分別配置于該導體層兩側的該基底中，其中該存儲 器結構為動態隨機存取存儲器或靜態隨機存取存儲器，該方法包括以下步 驟：

在該導體層上施加一第一電壓；以及

在該基底上施加一第二電壓，其中

該第一電壓與該第二電壓的電壓差足以引發F-N隧穿效應，以使得電荷 進入該電荷捕捉層或從該電荷捕捉層排出。

14.根據權利要求13所述的存儲器結構的操作方法，其特征在于其中該 第一電壓為8伏特至20伏特，該第二電壓為0伏特。

15.根據權利要求13所述的存儲器結構的操作方法，其特征在于其中該 第一電壓為-8伏特至-20伏特，該第二電壓為0伏特。

16.根據權利要求13所述的存儲器結構的操作方法，其特征在于其中電 荷注入該電荷捕捉層為程序化操作，而從該電荷捕捉層排出電荷為抹除操 作。