[發明專利]在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法無效
| 申請號： | 200710101779.6 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101074477A | 公開（公告）日： | 2007-11-21 |
| 發明（設計）人： | 弗拉基米爾·希里羅夫;謝爾蓋·馬雷舍夫;亞歷山大·霍赫洛夫;艾拉特·希薩莫夫;米卡萊·萊烏胡克 | 申請（專利權）人： | 弗拉基米爾·希里羅夫;謝爾蓋·馬雷舍夫;亞歷山大·霍赫洛夫;艾拉特·希薩莫夫;米卡萊·萊烏胡克 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 白俄羅*** | 國省代碼： | 白俄羅斯;BY |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 空中 氮化 薄膜 方法 | ||
1.在真空中向固定放置的襯底上涂覆氮化硅薄膜的方法，其中 向真空箱中饋送工作氣體的混合物：氮氣和氬氣，從至少一個離子源 形成離子束，由定向離子束濺射硅靶，并通過掃描襯底的表面濺射材 料分層沉積到襯底上；而且，離子源與靶共同相對于襯底作相對運動， 其特征在于在離子源相對于襯底的相對運動的每個循環，形成厚度在 2-10納米范圍內的至少一層，及在工作氣體的混合物中引入氦氣。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于工作氣體的混合物 中氦氣的體積百分比保持在2-20%的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于濺射材料流是 給定的長直線形；在該情況下濺射材料流的掃描幅度和線性部分的長 度超過襯底的各個線性尺寸。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于在沉積薄膜的過程 中箱內的工作壓強不超過10-1帕。
5.在真空中向固定放置的襯底上沉積氮化硅薄膜的方法，其中 向真空箱中饋送工作氣體的混合物：氮氣和氬氣，從至少兩個離子源 形成離子束，由定向離子束濺射硅靶，且濺射材料分層沉積到襯底的 表面上，其特征在于離子源與靶共同相對于襯底的表面固定安裝，以 脈沖模式濺射靶，以該方式前一與后一脈沖之間的間隔為至少0.1 秒；在該情況下一個脈沖內形成厚度在2-10納米范圍內的至少一層， 及在工作氣體的混合物中引入氦氣。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于工作氣體的混合物 中氦氣的體積百分比保持在2-20%的范圍內。
7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于可繞其軸旋轉 地安裝離子源。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于在沉積薄膜的過程 中箱內的工作壓強不超過10-1帕。
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