[發(fā)明專(zhuān)利]可改善抹除操作特性的非易失性存儲(chǔ)元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710101769.2 | 申請(qǐng)日： | 2007-05-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101241759A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何文喬;張欽鴻;張坤龍;洪俊雄 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C16/10 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 臺(tái)灣省新竹*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 操作 特性 非易失性 存儲(chǔ) 元件 | ||
1.?一種進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，包括：
在一抹除階段，將至少一個(gè)在一第一區(qū)的臨界電壓值的存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第一區(qū)的臨界電壓。
2.?如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其特征在于，其中，包括將至少一個(gè)具有在該第二區(qū)的臨界電壓值的一存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第三區(qū)的臨界電壓值，其中該第三區(qū)的臨界電壓高于該第二區(qū)的臨界電壓。
3.?如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其特征在于，其中，包括：
將在程序化之前具有在該第一區(qū)的一存儲(chǔ)單元的一第一讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的一第二讀取電壓值。
4.?如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其特征在于，其中，包括：
將在程序化之前具有在該第一區(qū)的一存儲(chǔ)單元的一第一程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的一第二程序化驗(yàn)證電壓值。
5.?如權(quán)利要求1所述的進(jìn)行抹除操作的方法，其特征在于，其中，將該至少一存儲(chǔ)單元程序化的方法包括將電子注入于該存儲(chǔ)單元中，以使該存儲(chǔ)單元的臨界電壓值增加。
6.?一種非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
多數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)可至少儲(chǔ)存一儲(chǔ)存比特；以及
多數(shù)個(gè)用以程序化至少一存儲(chǔ)單元的裝置，在一抹除階段，該存儲(chǔ)單元在程序化之前具有在一第一區(qū)的臨界電壓值，在程序化之后具有在一第二區(qū)的臨界電壓值，其中該第二區(qū)的臨界電壓高于該第一區(qū)的臨界電壓。
7.?如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，其中，包括多數(shù)個(gè)裝置，在一抹除階段，用以將至少一個(gè)在程序化之前具有在該第二區(qū)的臨界電壓值的一存儲(chǔ)單元程序化，該存儲(chǔ)單元在程序化之后具有在一第三區(qū)的臨界電壓值，其中該第三區(qū)的臨界電壓高于該第二區(qū)的臨界電壓。
8.?如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，其中，包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之前具有在該第一區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的一第一讀取電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的一第二讀取電壓值。
9.?如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，其中，包括多數(shù)個(gè)裝置，用以將在程序化之前具有在該第一區(qū)的臨界電壓的一存儲(chǔ)單元的一第一程序化驗(yàn)證電壓值調(diào)整為在程序化之后具有在該第二區(qū)的臨界電壓的該存儲(chǔ)單元的一第二程序化驗(yàn)證電壓值。
10.?如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，其中，該用以程序化該至少一存儲(chǔ)單元的裝置包括將電子注入于存儲(chǔ)單元使該存儲(chǔ)單元臨界電壓增加的裝置。
11.?一種進(jìn)行抹除操作的方法，適用于具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)元件，其特征在于，包括：
進(jìn)行N次循環(huán)，各循環(huán)包括一程序化階段與一抹除階段，且其中N是大于1的整數(shù)，各該第N次循環(huán)包括；
選擇一第一組存儲(chǔ)單元用于程序化階段，以及選擇一第二組存儲(chǔ)單元用于抹除階段；該第一組與該第二組的存儲(chǔ)單元開(kāi)始具有第一臨界電壓值；
程序化該第一組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為一第二臨界電壓值；以及
程序化該第二組組存儲(chǔ)單元，使其臨界電壓值增加為一第二臨界電壓值，并將一第一讀取電壓調(diào)整為一第二讀取電壓。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于旺宏電子股份有限公司，未經(jīng)旺宏電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710101769.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 特性評(píng)價(jià)裝置以及特性評(píng)價(jià)方法
- 表面特性檢查裝置、表面特性檢查系統(tǒng)以及表面特性檢查方法
- 特性評(píng)價(jià)裝置、特性評(píng)價(jià)系統(tǒng)、特性評(píng)價(jià)方法和特性評(píng)價(jià)程序
- 噴嘴特性
- 取向特性測(cè)定方法、取向特性測(cè)定程序及取向特性測(cè)定裝置
- 光學(xué)特性測(cè)定方法以及光學(xué)特性測(cè)定系統(tǒng)
- 表面特性評(píng)價(jià)方法、表面特性評(píng)價(jià)裝置以及表面特性評(píng)價(jià)系統(tǒng)
- 特性判定裝置、特性判定方法以及特性判定程序
- 特性評(píng)估系統(tǒng)、特性評(píng)估方法和程序
- 特性測(cè)量裝置和特性測(cè)量方法
- 將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性高速緩沖存儲(chǔ)器中的設(shè)備和方法
- 抑制寄生電荷積累的非易失性存儲(chǔ)器件及其操作方法
- 非易失性存儲(chǔ)裝置、非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)及存取裝置
- 非易失性存儲(chǔ)門(mén)及其動(dòng)作方法、及非易失性存儲(chǔ)門(mén)裝入型邏輯電路及其動(dòng)作方法
- 從非易失性塊存儲(chǔ)設(shè)備至處理設(shè)備的健康報(bào)告
- 非易失性數(shù)據(jù)備份和恢復(fù)方法
- 易失性/非易失性SRAM器件
- 具有非易失性邏輯陣列備份相關(guān)應(yīng)用的處理裝置
- 基于一對(duì)多頁(yè)面映射的非易失內(nèi)存數(shù)據(jù)一致性更新方法
- 一種非易失性數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)方法及裝置
