[發明專利]功率變換裝置

無效

• 申請號: 200710101363.4
• 申請日: 2007-04-18
• 公開（公告）號: CN101119062A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: K·H·赫斯恩;筱原益生
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H02M1/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;劉宗杰

1.一種功率變換裝置，其特征在于，

內部裝有絕緣柵雙極型晶體管和保護電路，

所述保護電路設有：

在所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和電流檢測端之間互為反向地 串聯連接的第1、第2齊納二極管；以及

在所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和發射極之間互為反向地串聯 連接的第3、第4齊納二極管，

所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極、電流檢測端及發射極分別與第1 至第3外部端子連接，

所述第1、第2齊納二極管的齊納電壓比加于所述絕緣柵雙極型晶 體管的柵極和電流檢測端之間的控制電壓高，比所述柵極和電流檢測 端之間的擊穿電壓低，所述第3、第4齊納二極管的齊納電壓比加于所 述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和發射極之間的控制電壓高，比所述柵 極和發射極之間的擊穿電壓低。

2.權利要求1所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有：

其柵極與所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端連接、源極與所 述絕緣柵雙極型晶體管的發射極連接、漏極與所述絕緣柵雙極型晶體 管的柵極連接的NMOS晶體管；以及

在所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端和發射極之間連接的第 1電阻。

3.權利要求2所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有在所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和所述 NMOS晶體管的漏極之間連接的第1二極管。

4.權利要求2或3所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有在所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端和 所述NMOS晶體管的柵極之間連接的第2電阻。

5.權利要求1～3中任一項所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有：

由在所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端和發射極之間串聯連 接的多個二極管構成的第1二極管串；以及

由串聯連接的多個二極管構成的第2二極管串，

所述第2二極管串與所述第1二極管串并聯且反向連接。

6.權利要求1～3中任一項所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有：

由所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端和發射極之間串聯連接 的多個二極管構成的第1二極管串；以及

與所述第1二極管串并聯且反向連接的單個第2二極管。

7.權利要求1～3中任一項所述的功率變換裝置，其特征在于，

所述保護電路還設有：

在所述絕緣柵雙極型晶體管的電流檢測端和發射極之間互為反向 地串聯連接的第5、第6齊納二極管。

8.權利要求2或3所述的功率變換裝置，其特征在于，

還設有與所述第1電阻并聯連接的外部電阻或外部電容。

9.一種功率變換裝置，其特征在于，

內部裝有絕緣柵雙極型晶體管和保護電路，

所述保護電路設有：

由在所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和電流檢測端之間串聯連接 的多個二極管構成的第1二極管串；

由串聯連接的多個二極管構成的第2二極管串；

由在所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和發射極之間串聯連接的多 個二極管構成的第3二極管串；

由串聯連接的多個二極管構成的第4二極管串，

所述第2二極管串與所述第1二極管串并聯且反向連接，

所述第4二極管串與所述第3二極管串并聯且反向連接，

所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極、電流檢測端及發射極分別與第1 至第3外部端子連接，

所述第1、第2二極管串的正向電壓的最小值比所述絕緣柵雙極型 晶體管的柵極和電流檢測端間施加的控制電壓高，比所述柵極和電流 檢測端間的擊穿電壓低，所述第3、第4二極管串的正向電壓的最小值 比所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極和發射極間施加的控制電壓高，比 所述柵極和發射極間的擊穿電壓低。

10.權利要求1～3、9中任一項所述的功率變換裝置，其特征在于，

在所述絕緣柵雙極型晶體管附近還設有溫度測定用二極管，

所述保護電路還設有其陰極與所述溫度測定用二極管的陽極連 接、陽極與所述溫度測定用二極管的陰極連接的第3二極管，

所述溫度測定用二極管的陽極和陰極分別與第4和第5外部端子 連接。