[發明專利]熔絲結構的操作方法

無效

• 申請號: 200710101273.5
• 申請日: 2007-04-20
• 公開（公告）號: CN101060111A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 查爾斯·W.克伯格三世;斯蒂芬·J.·霍姆斯;古川俊治;戴維·V.·霍拉克;馬克·C.·哈克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 康建峰

1.一種結構操作方法，包括：

提供一種結構，包括

(a)導電層，

(b)在導電層上面的第一電介質區和第二電介質區，

(c)位于第一和第二電介質區上的懸空而不接觸導電層的N個導電區，其中所述N個導電區是N個碳納米管，

其中N是正整數且N大于1，

其中N個導電區電連接到一起，

其中N個導電區的N個導電區段具有不同的長度，

其中N個導電區段不與第一和第二電介質區以及導電層直接物理接觸；以及

使N個導電區段的第一導電區段接觸導電層，而不使其余的N-1個導電區段接觸導電層，

其中第一導電區段是N個導電區段中的最長導電區段。

2.根據權利要求1的方法，其中所述的使N個導電區段的第一導電區段接觸導電層包括在導電層和N個導電區段之間施加第一電壓，

其中第一電壓足夠高以使N個導電區段的第一導電區段接觸導電層。

3.根據權利要求1的方法，其中導電層包括選自包括銅、鋁和鎢的組的導電材料。

4.根據權利要求1的方法，其中第一和第二電介質區包括二氧化硅。

5.根據權利要求1的方法，

其中所述結構還包括埋置在第一電介質區內的催化劑區，以及

其中N個導電區電耦接到催化劑區。

6.根據權利要求5的方法，其中所述結構還包括：

(i)第一接觸區，

其中第一接觸區在第一電介質區中并且與催化劑區直接物理接觸；以及

(ii)第二接觸區，

其中第二接觸區在第二電介質區中并且與導電層直接物理接觸。

7.根據權利要求1的方法，還包括在所述使N個導電區段的第一導電區段接觸導電層之后，使導電層從其余的N-1個導電區電分離。

8.根據權利要求7的方法，其中所述使導電層與其余的N-1個導電區電分離包括熔斷第一導電區段。

9.根據權利要求8的方法，其中所述熔斷第一導電區段包括在導電層和N個導電區段之間施加第二電壓，導致第一導電區段被熔斷，

其中所述第二電壓不夠高而無法在第一導電區段被熔斷之后使其余N-1個導電區的任意一個接觸導電層。

10.根據權利要求8的方法，其中包括在所述的熔斷第一導電區段之后，再次在導電層和N個導電區段之間施加第一電壓，以使其余的N-1個導電區段的第二導電區段接觸導電層，

其中第二導電區段是其余的N-1個導電區段中的最長導電區段。

11.一種結構操作方法，包括：

提供一種結構，包括

(a)導電層，

(b)懸空而不接觸導電層的N個導電區，其中所述N個導電區是N個碳納米管，

其中N是正整數且N大于1，

其中N個導電區電連接到一起；以及

使N個導電區的第一導電區接觸導電層，而不使其余的N-1個導電區接觸導電層。

12.根據權利要求11的方法，其中所述的使N個導電區的第一導電區接觸導電層包括在導電層和N個導電區之間施加第一電壓，

其中第一電壓足夠高以使N個導電區的第一導電區接觸導電層。

13.根據權利要求12的方法，其中所述施加第一電壓包括將電源的兩個電極經由與電源串聯的電阻器施加到導電層和N個導電區，使得當第一導電區接觸導電層時，流過第一導電區的產生電流不能熔斷第一導電區。

14.根據權利要求11的方法，

其中所述結構還包括催化劑區，以及

其中N個導電區電耦接到催化劑區。

15.根據權利要求11的方法，還包括在所述使N個導電區的第一導電區接觸導電層之后，使導電層從其余的N-1個導電區電分離。

16.根據權利要求15的方法，其中所述使導電層從其余的N-1個導電區電分離包括熔斷第一導電區。