[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710101040.5
• 申請日: 2007-04-23
• 公開（公告）號: CN101154577A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 及川貴弘
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

準備其表面上具有下層導電體的半導體襯底，從所述半導體襯底的背面向表面方向除去所述半導體襯底，形成使所述下層導電體露出的通路孔的工序；

用濺射法或者PVD法在所述通路孔內形成第一阻擋層的工序；

進行反向濺射，通過部分除去沉積在所述通路孔底部的所述第一阻擋層，使所述下層導電體的表面露出的工序；

在所述通路孔底部露出的所述下層導電體上形成第二阻擋層的工序；

在所述通路孔內的所述第二阻擋層上形成貫通電極，在所述半導體襯底的背面上形成經由所述貫通電極與所述下層導電體電連接的上層導電體的工序。

2.一種具有形成通路孔的工序的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

通過濺射法或者PVD法在所述通路孔內形成第一阻擋層的工序；

進行反向濺射，部分除去沉積在所述通路孔底部的所述第一阻擋層的工序；

在所述通路孔的底部形成第二阻擋層的工序；

在所述通路孔內形成貫通電極的工序。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第二阻擋層的工序是通過濺射法或者PVD法來進行的。

4.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有在所述第二阻擋層上形成用于電鍍形成所述貫通電極的籽晶層的工序。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述籽晶層的工序具有，在所述第二阻擋層上形成籽晶層的工序、和其后對所述第二阻擋層上的籽晶層進行反向濺射的工序。

6.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，如下進行形成所述第二阻擋層的工序，使作為包含所述第一和第二阻擋層的阻擋層整體在所述通路孔底部的膜厚與所述通路孔側壁的膜厚比為相同或變薄。

7.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有在所述半導體襯底的表面上粘貼支承體的工序。

8.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二阻擋層含有與所述第一阻擋層不同的材料。

9.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二阻擋層為層積結構。

10.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

經由半導體襯底設置的下層導電體以及上層導電體，和用于將所述下層導電體以及所述上層導電體電連接的通路孔；

在所述通路孔內形成的阻擋層；

在所述通路孔內的所述阻擋層上形成的貫通電極，

所述阻擋層具有在所述通路孔內通過濺射工序或者PVD工序及反向濺射工序在所述通路孔的側壁形成的第一阻擋層和、用與所述第一阻擋層不同的工序形成且在所述通路孔的底部形成的第二阻擋層。

11.一種具有通路孔的半導體裝置，其特征在于，具有：

在所述通路孔內形成的阻擋層、

和在所述通路孔內的所述阻擋層上形成的貫通電極，

所述阻擋層具有在所述通路孔內通過濺射工序或者PVD工序及反向濺射工序在所述通路孔的側壁形成的第一阻擋層、和用與所述第一阻擋層不同的工序形成且在所述通路孔的底部形成的第二阻擋層。

12.如權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于，在所述第二阻擋層上形成有籽晶層。

13.如權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于，作為包含所述第一和第二阻擋層的阻擋層整體在所述通路孔底部的膜厚與所述通路孔側壁的膜厚比為相同或變薄。

14.如權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體襯底的任一主面上粘貼支承體。

15.如權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二阻擋層含有與第一阻擋層不同的材料。

16.如權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二阻擋層是層積構造。

17.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

將半導體襯底除去直至其厚度方向的中途而形成通路孔的工序；

用濺射法或者PVD法在所述通路孔內形成第一阻擋層的工序；

進行反向濺射，部分除去沉積在所述通路孔底部的所述第一阻擋層，在所述通路孔的底部露出所述半導體襯底的工序；

在所述通路孔底部露出的所述半導體襯底上形成第二阻擋層的工序；

在所述通路孔內形成與所述第二阻擋層電連接的電極的工序。