[發明專利]具有提高的信噪比和探測靈敏度的低聚物探針陣列及其制造方法

無效

• 申請號: 200710100998.2
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101067606A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發明（設計）人: 夏政煥;池圣敏;金京善;金媛善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N33/52;C12Q1/68
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 林宇清;謝麗娜

1.一種低聚物探針陣列，包括：

襯底；

在襯底上或在襯底中形成的多個探針單元有源區，該多個探針單元有源區的每一個具有三維表面并與具有其自己序列的至少一個低聚物探針相耦合；以及

限定探針單元有源區，且沒有與表面上的低聚物探針相耦合的官能團的探針單元隔離區。

2.權利要求1的低聚物探針陣列，其中該多個探針單元有源區包括能與低聚物探針耦合的官能團，以及

其中，一些官能團被耦合到低聚物探針，以及其他官能團通過封端被去激活。

3.權利要求2的低聚物探針陣列，其中該官能團是選自由羥基、醛基、羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、鹵基以及磺酸基構成的組的至少一個基團。

4.權利要求1的低聚物探針陣列，其中該多個探針單元有源區是襯底上形成的層的圖形，包括通過襯底的局部氧化形成的LOCOS氧化物層，或填充襯底中的溝槽的溝槽型有源區。

5.權利要求4的低聚物探針陣列，其中該探針單元隔離區的表面是硅酮襯底或透明襯底的露出表面。

6.權利要求4的低聚物探針陣列，其中探針單元隔離區的表面是阻擋層的表面，該阻擋層被布置在襯底的上表面上，并具有防止低聚物探針耦合的性能。

7.權利要求4的低聚物探針陣列，其中該探針單元隔離區的表面是填料的表面，該填料被填充到在探針單元有源區之間限定的區域中并具有防止低聚物探針耦合的性能。

8.權利要求4的低聚物探針陣列，其中該探針單元隔離區的表面是阻擋層的表面，該阻擋層被布置在填充到探針單元有源區之間限定的區域中的填料上，并具有防止低聚物探針耦合的性能。

9.權利要求1的低聚物探針陣列，其中該低聚物探針經由連接器耦合到探針單元有源區。

10.權利要求1的低聚物探針陣列，其中通過在每個探針單元有源區中形成的一個或多個溝槽獲得三維表面。

11.一種制造低聚物探針陣列的方法，該方法包括：

提供一襯底；

在該襯底上或襯底中形成具有三維表面的多個探針單元有源區，該多個探針單元有源區被探針單元隔離區限定，而沒有用于耦合低聚物探針的官能團；以及

將該低聚物探針耦合到多個探針單元有源區，以便每個探針單元有源區耦合具有其自己序列的至少一個低聚物探針。

12.如權利要求11的方法，其中形成多個探針單元有源區包括，形成探針單元有源區以包括能與低聚物探針耦合的官能團，其中，一些官能團被耦合到低聚物探針，以及其他官能團通過封端被去激活。

13.如權利要求12的方法，其中該官能團是選自由羥基、醛基、羧基、氨基、酰胺基、硫醇基、鹵基以及磺酸基構成的組的至少一個基團。

14.如權利要求11的方法，其中該多個探針單元有源區的形成包括在襯底上形成層的圖形，包括通過襯底的局部氧化形成LOCOS氧化物層，或形成填充襯底中的溝槽的溝槽型有源區。

15.如權利要求14的方法，其中該探針單元隔離區的表面是硅酮襯底或透明襯底的露出表面。

16.如權利要求14的方法，其中該探針單元隔離區的表面是阻擋層的表面，該阻擋層被布置在襯底的上表面上并具有防止低聚物探針耦合的性能。

17.如權利要求14的方法，其中該探針單元隔離區的表面是填料的表面，該填料被填充到在探針單元有源區之間限定的區域中并具有防止低聚物探針耦合的性能。

18.如權利要求14的方法，其中該探針單元隔離區的表面是阻擋層的表面，該阻擋層被布置在填充到探針單元有源區之間限定的區域中的填料上，并具有防止低聚物探針耦合的性能。

19.如權利要求11的方法，其中將低聚物探針耦合到探針單元有源區包括經由連接器將低聚物探針耦合到探針單元有源區。

20.如權利要求11的方法，其中形成多個探針單元有源區的三維表面包括在每個探針單元有源區中形成一個或多個溝槽。