[發明專利]具有高度光取出率的半導體發光元件

有效

• 申請號: 200710100968.1
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN101295757A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 王偉凱;林素慧;施文忠
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭曉東

1.一種制造一半導體發光元件的方法，包含下列步驟：

(a)制備一基板；

(b)形成一多層結構于該基板上，該多層結構包含一發光區；

(c)形成一最頂層于該多層結構上；

(d)形成一蝕刻阻抗層，該蝕刻阻抗層大體上覆蓋該最頂層，致使該

最頂層的邊界外露，該蝕刻阻抗層的邊界呈現一第一圖案；

(e)蝕刻該最頂層的該外露的邊界；

(f)移除該蝕刻阻抗層；以及

(g)于該最頂層上形成至少一個電極；

其中該最頂層的側壁呈現一與該第一圖案相關的表面型態。

2.如權利要求1所述的方法，在步驟(e)和步驟(f)之間，進一步包含下列步驟：

(e-1)縮減該蝕刻阻抗層的該邊界，致使該蝕刻阻抗層的該邊界呈現第二圖案；以及

(e-2)再次蝕刻該最頂層的該外露的邊界；

其中該最頂層的該側壁的表面型態與該第一圖案及該第二圖案相關。

3.如權利要求1所述的方法，其中該最頂層由銦錫氧化物或氧化鋅所形成。

4.如權利要求1所述的方法，其中該發光區包含選自由PN-結、雙異質結以及多重量子阱所組成的組中的一項。

5.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻阻抗層由硅氧化物或光阻材料所形成。

6.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻阻抗層由選自由鎳以及鋁所組成的組中的一項所形成。

7.如權利要求6所述的方法，其中該蝕刻阻抗層的具有該第一圖案的該邊界通過退火處理所形成。

8.如權利要求1所述的方法，其中該基板由選自由硅、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化硅、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁、四氧化鎂二鋁以及導電材料所組成的組中的一項所形成。

9.如權利要求1所述的方法，其中該基板的側壁呈現與一第三圖案相關的表面型態。

10.如權利要求1所述的方法，其中該多層結構的側壁呈現與一第四圖案相關的表面型態。

11.一種半導體發光元件，包含：

基板；

多層結構，該多層結構形成于該基板上并且包含一發光區；

最頂層，該最頂層形成于該多層結構上，該最頂層的側壁的下部分呈現第一表面型態，該第一表面型態與一第一圖案相關；以及

至少一個電極，該至少一個電極形成于該最頂層上。

12.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該最頂層由銦錫氧化物或氧化鋅所形成。

13.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該發光區包含選自由PN-結、雙異質結以及多重量子阱所組成的組中的一項。

14.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該基板由選自由硅、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化硅、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁、四氧化鎂二鋁以及一導電材料所組成的組中的一項所形成。

15.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該最頂層的該側壁的該第一表面型態利用蝕刻阻抗層而形成，該蝕刻阻抗層的邊界呈現該第一圖案。

16.如權利要求15項所述的半導體發光元件，其中該蝕刻阻抗層由硅氧化物或光阻材料所形成。

17.如權利要求15項所述的半導體發光元件，其中該蝕刻阻抗層由選自由鎳以及鋁所組成的組中的一項所形成。

18.如權利要求17項所述的半導體發光元件，其中該蝕刻阻抗層的具有該第一圖案的該邊界通過退火處理形成。

19.如權利要求15項所述的半導體發光元件，其中該最頂層的該側壁的上部分呈現第二表面型態，該第二表面型態與一第二圖案相關。

20.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該基板的側壁呈現與一第三圖案相關的表面型態。

21.如權利要求11所述的半導體發光元件，其中該多層結構的側壁呈現與一第四圖案相關的表面型態。