[發明專利]半導體集成電路及其制造方法、使用該電路的半導體裝置

有效

• 申請號: 200710100943.1
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN101064287A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 山口真弓;泉小波
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L21/60;H01L21/82;H01L21/768;H01L25/00;H01L25/065;H01L27/00;H01L27/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 浦柏明;劉宗杰

1.一種半導體集成電路的制造方法，包括如下步驟：

在第一襯底上形成具有第一半導體元件的第一元件形成層，該第一半導體元件包括第一半導體層和夾住所述第一半導體層的第一絕緣雙層；

在第二襯底上形成剝離層；

在所述剝離層上形成包括開口部和第二半導體元件的第二元件形成層，該第二半導體元件包括第二半導體層和夾住所述第二半導體層的第二絕緣雙層，所述開口部的側面具有導電性；

從所述第二襯底分離所述第二元件形成層，所分離的開口部是通孔；

在所述第一元件形成層上配置所述第二元件形成層；以及

通過將具有導電性的材料滴落在所述開口部中來形成布線，所述布線電連接所述第一元件形成層和所述第二元件形成層。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述第一元件形成層包括開口部。

3.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述開口部的側面或位于所述開口部下的所述第一元件形成層的一部分具有導電性。

4.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述具有導電性的材料是在有機樹脂中溶解或分散有導電粒子的材料。

5.根據權利要求4所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述導電粒子是選自由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr以及Ba構成的組中的至少一種金屬粒子、鹵化銀的微粒子、或碳黑。

6.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述第一半導體元件和所述第二半導體元件中的至少一個包括薄膜晶體管。

7.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述剝離層包含鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、以及硅中的任何一種。

8.根據權利要求1所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述剝離層是包含如下材料中的任何一種的層：鎢、鉬、鎢和鉬的混合物、鎢的氧化物、鎢的氮化物、鎢的氧氮化物、鎢的氮氧化物、鉬的氧化物、鉬的氮化物、鉬的氧氮化物、鉬的氮氧化物、鎢和鉬的混合物的氧化物、鎢和鉬的混合物的氮化物、鎢和鉬的混合物的氧氮化物、鎢和鉬的混合物的氮氧化物。

9.根據權利要求2所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述第一元件形成層和所述第二元件形成層貼合為所述開口部重疊的形式。

10.一種半導體集成電路的制造方法，包括如下步驟：

在第一襯底上形成具有第一半導體元件的第一元件形成層，該第一半導體元件包括第一半導體層和夾住所述第一半導體層的第一絕緣雙層；

在第二襯底上形成第一剝離層；

在所述第一剝離層上形成包括第一開口部和第二半導體元件的第二元件形成層，該第二半導體元件包括第二半導體層和夾住所述第二半導體層的第二絕緣雙層，所述第一開口部的側面具有導電性；

從所述第二襯底分離所述第二元件形成層，所分離的第一開口部是第一通孔；

在所述第一元件形成層上配置所述第二元件形成層；

在第三襯底上形成第二剝離層；

在所述第二剝離層上形成包括第二開口部和第三半導體元件的第三元件形成層，該第三半導體元件包括第三半導體層和夾住所述第三半導體層的第三絕緣雙層，以及所述第二開口部與所述第一開口部重疊，并且所述第二開口部的側面具有導電性；

從所述第三襯底分離所述第三元件形成層，所分離的第二開口部是第二通孔；

在所述第二元件形成層上配置所述第三元件形成層；以及

在所述第一開口部和與所述第一開口部重疊的所述第二開口部的每一個中形成布線，所述布線電連接所述第一元件形成層、所述第二元件形成層、以及所述第三元件形成層。

11.根據權利要求10所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述第一元件形成層包括開口部。

12.根據權利要求10所述的半導體集成電路的制造方法，其中所述第一開口部的側面或位于所述第一開口部下的所述第一元件形成層的一部分具有導電性。

13.根據權利要求10所述的半導體集成電路的制造方法，其中將具有導電性的材料滴落到所述第一開口部和所述第二開口部的至少一個中來形成所述布線。