[發明專利]充電電路、過電壓保護電路

無效

• 申請號: 200710100907.5
• 申請日: 2007-04-28
• 公開（公告）號: CN101071950A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 名手智;山本勛;堀內幸人
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02H3/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗;李曉舒

1.一種充電電路，根據來自外部電源的電源電壓而對電池充電，其特征在于，它包括：

充電晶體管，其設置在從所述外部電源對所述電池的充電路徑上；

充電控制電路，調節所述充電晶體管的導通狀態，從而調節對所述電池供給的充電電流；以及

電壓調節電路，其設置在從所述外部電源對所述充電控制電路的電源端子的電力供給的路徑上，生成電壓降，

所述充電控制電路包括：

箝位電路，將該充電控制電路的電源端子的電壓箝位至規定的箝位電壓以下；以及

電流調節電路，調節所述充電晶體管的導通狀態，以使所述電池的電壓接近規定的電壓值。

2.如權利要求1所述的充電電路，其特征在于，所述電壓調節電路是電阻。

3.如權利要求1所述的充電電路，其特征在于，

所述電壓調節電路包括：

保護晶體管，其設置在從所述外部電源至所述充電控制電路的電源端子的電力供給的路徑上；以及

電阻，其設置在連接到所述外部電源的所述保護晶體管的端子和所述保護晶體管的控制端子間，

所述箝位電路通過將所述保護晶體管的控制端子的電壓箝位至規定的閾值電壓以下，從而將所述充電控制電路的電源端子的電壓箝位至所述箝位電壓以下。

4.如權利要求3所述的充電電路，其特征在于，

所述保護晶體管是NPN型雙極晶體管，其發射極連接到所述充電控制電路的電源端子側，集電極連接到所述外部電源，

所述電阻被設置在所述保護晶體管的集電極和作為控制端子的基極間。

5.如權利要求3或4所述的充電電路，其特征在于，

還包括在所述保護晶體管的控制端子和固定電壓端子間所設置的電容器。

6.如權利要求1至3任何一項所述的充電電路，其特征在于，

所述箝位電路在箝位了所述充電控制電路的電源端子的電壓的狀態中，將從所述外部電源供給到所述電池的充電電流斷路。

7.如權利要求6所述的充電電路，其特征在于，

還包括充電停止開關，該開關設置在從所述外部電源對所述電池的充電電流的路徑上，

所述箝位電路在箝位了所述充電控制電路的電源端子的電壓的狀態中，使所述充電停止開關截止。

8.一種電子設備，其特征在于，它包括：

電池；以及

根據來自外部電源的電源電壓而對所述電池充電的權利要求1至3任何一項所述的充電電路。

9.一種過電壓保護電路，內置在半導體集成電路中，將供給到該半導體集成電路的電源端子的電源電壓箝位至規定的箝位電壓以下，其特征在于，它包括：

第1箝位電路和第1開關，它們串聯設置在所述半導體集成電路的電源端子和固定電壓端子間；

基準電壓源，其生成規定的基準電壓；以及

比較器，其將與供給到所述電源端子的電源電壓對應的電壓與所述基準電壓進行比較，

所述比較器在與所述電源電壓對應的電壓比所述基準電壓高時，將所述第1開關導通。

10.如權利要求9所述的過電壓保護電路，其特征在于，

還包括電流電壓變換電路，其將包含所述第1箝位電路和所述第1開關的路徑中流過的電流變換為電壓，

變換后的電壓超過規定的閾值電壓時，停止所述半導體集成電路的一部分功能。

11.如權利要求9或10所述的過電壓保護電路，其特征在于，

還包括第2箝位電路和第2開關，它們串聯設置在與所述第1開關至所述固定電壓端子的路徑并聯的路徑上，

所述基準電壓源通過供給到所述半導體集成電路的所述電源電壓低，在所述規定的基準電壓不能輸出的狀態中輸出作為規定電平的低電壓檢測信號，

所述第2開關在所述低電壓檢測信號為所述規定電平的期間導通。

12.如權利要求9或10所述的過電壓保護電路，其特征在于，

所述第1箝位電路包含二極管。

13.如權利要求9或10所述的過電壓保護電路，其特征在于，

所述第1開關是P溝道MOSFET。