[發(fā)明專利]模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710099862.4
• 申請日: 2007-05-31
• 公開（公告）號: CN101316024A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王列松;趙玲娟;王圩;朱洪亮;潘教青;梁松
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/34;H01S5/343
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中包括：

一基底；

一緩沖層，該緩沖層制作在基底上；

一下限制層，該下限制層制作在緩沖層上；

一多量子阱有源層，該多量子阱有源層制作在下限制層上，該多量子阱有源層為五段結(jié)構(gòu)，兩端為鋸齒狀，中間為平面結(jié)構(gòu)，在中間與鋸齒狀結(jié)構(gòu)之間的兩段結(jié)構(gòu)內(nèi)注入磷；

一上限制層，該上限制層制作在多量子阱有源層上的鋸齒狀的上面及中間部分；

一蓋層，該蓋層制作在多量子阱有源層及上限制層的上面；

一刻蝕阻止層，該刻蝕阻止層制作在蓋層上；

一歐姆接觸層，該歐姆接觸層分為五段制作在刻蝕阻止層上；

一金屬電極層，該金屬電極層制作在分為五段的歐姆接觸層上；

其中該五段的歐姆接觸層的上下部分分別為：第一強(qiáng)增益耦合DFB區(qū)，與第一強(qiáng)增益耦合DFB區(qū)相鄰的第一相區(qū)，與第一相區(qū)相鄰的可飽和吸收區(qū)，與可飽和吸收區(qū)相鄰的第二相區(qū)，與第二相區(qū)相鄰的第二強(qiáng)增益耦合DFB區(qū)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該器件采用InP系材料。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一強(qiáng)增益耦合DFB區(qū)的長度占器件總長度的25％～40％；第一相區(qū)的長度占器件總長度的10％～20％；可飽和吸收區(qū)的長度占器件總長度的2％～10％；第二相區(qū)的長度占器件總長度的10％～20％；第二強(qiáng)增益耦合DFB區(qū)的長度占器件總長度的25％～40％。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中分為五段結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層和金屬電極層，各段之間相隔18μm-20μm，電極寬度為2μm。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中器件總長度由雙模頻率差決定，即光在器件內(nèi)來回一周所需時間的一半的倒數(shù)等于雙模頻率差。

6、一種模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中包括：

一基底；

一緩沖層，該緩沖層制作在基底上；

一下限制層，該下限制層制作在緩沖層上；

一多量子阱有源層，該多量子阱有源層制作在下限制層上，該多量子阱有源層為五段結(jié)構(gòu)，在中間與兩端之間的兩段結(jié)構(gòu)內(nèi)注入磷；

一上限制層，該上限制層制作在多量子阱有源層上；

一p型層，該p型層制作在上限制層上；

一1.2Qp型層，該1.2Qp型層為鋸齒狀結(jié)構(gòu)，該1.2Qp型層制作在p型層上面的兩側(cè)；

一n型層，該n型層制作在鋸齒狀的1.2Qp型層的齒端；

一蓋層，該蓋層制作在p型層上并復(fù)蓋1.2Qp型層和n型層；

一刻蝕阻止層，該刻蝕阻止層制作在蓋層上；

一歐姆接觸層，該歐姆接觸層分為五段制作在刻蝕阻止層上；

一金屬電極層，該金屬電極層制作在分為五段的歐姆接觸層上；

其中該五段的歐姆接觸層的上下部分分別為：第一部分增益耦合DFB區(qū)，與第一部分增益耦合DFB區(qū)相鄰的第一相區(qū)，與第一相區(qū)相鄰的可飽和吸收區(qū)，與可飽和吸收區(qū)相鄰的第二相區(qū)，與第二相區(qū)相鄰的第二部分增益耦合DFB區(qū)。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該器件采用InP系材料。

8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一部分增益耦合DFB區(qū)的長度占器件總長度的25％～40％；第一相區(qū)的長度占器件總長度的10％～20％；可飽和吸收區(qū)的長度占器件總長度的2％～10％；第二相區(qū)的長度占器件總長度的10％～20％；第二部分增益耦合DFB區(qū)的長度占器件總長度的25％～40％。

9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中分為五段結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層和金屬電極層，各段之間相隔18μm-20μm，電極寬度為2μm。

10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的模式相干的雙模半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中器件總長度由雙模頻率差決定，即光在器件內(nèi)來回一周所需時間的一半的倒數(shù)等于雙模頻率差。