[發明專利]光刻定位自組裝填充方法

無效

• 申請號: 200710099497.7
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN101051185A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 李飛;朱少麗;杜春雷;羅先剛
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/004;G03F9/00
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司
• 代理人: 賈玉忠;盧紀

1.光刻定位自組裝填充方法，其特征在于包括下列步驟：

(1)設計列陣型微區掩模，根據設計結果制作出列陣型微區掩模板，每個微區均用坐標值定位；

(2)選取基底材料，在基底材料表面旋涂抗蝕劑；

(3)采用制作的陣型微區掩模板對抗蝕劑進行曝光，顯影后即可獲得抗蝕劑材質的微浮雕結構，根據目標浮雕結構的深度確定需要施加的曝光量，以及顯影液濃度、顯影時間參數，通過曝光、顯影首先在抗蝕劑表面獲得定位微區結構；

(4)通過進一步溶液腐蝕，將抗蝕劑圖形轉移到基底材料上，最終制作出定位微區模版；

(5)利用定位微區模版的坐標定位功能，采用納升級移液器在定位微區模版坐標值對應的微區里自組裝聚苯乙烯納米球，形成單層聚苯乙烯納米球結構；

(6)將已組裝了單層聚苯乙烯納米球結構的定位微區模版低溫18～21℃干燥后放入真空鍍膜系統的工作腔，在高真空4.0×10^-4Pa下，在定位微區模版表面沉積一層銀膜；

(7)去除聚苯乙烯納米球自組裝層，僅留下球與球的間隙處的金屬，得到陣列化的金屬納米列陣結構。

2.根據權利要求1所述的光刻定位自組裝填充方法，其特征在于：所述步驟(1)中采用激光直寫機制作列陣型微區掩模板，激光直寫機的分辨率大于0.5微米。

3.根據權利要求1所述的光刻定位自組裝填充方法，其特征在于：所述步驟(2)中的基底材料采用鍍鉻硅酸鹽玻璃。

4.根據權利要求1所述的光刻定位自組裝填充方法，其特征在于：所述步驟(2)中抗蝕劑型號為AZ3100的正性光致抗蝕劑。