[發(fā)明專利]一種陣列電極式平板壁面微空泡發(fā)生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710099372.4 | 申請日: | 2007-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN101121435A | 公開(公告)日: | 2008-02-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 汪家道;陳皓生;陳大融 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學 |
| 主分類號: | B63B1/38 | 分類號: | B63B1/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084北京市100*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 電極 平板 壁面微 空泡 發(fā)生 裝置 | ||
1.一種陣列電極式平板壁面微空泡發(fā)生裝置,其特征在于:該裝置由頂層(1)、中間層(2)和底層(3)三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成,所述的頂層為鍍金銅層,同時作為電源正極;所述的中間層為絕緣層,在該層中加工有成陣列式分布的微孔(4),孔壁敷銅,并與底層相連;所述的底層為銅層,作為電源的負極;在頂層上開有圓孔(5),微孔的開口處位于頂層的圓孔處,圓孔直徑大于微孔直徑。
2.按照權(quán)利要求1所述的陣列電極式平板壁面微空泡發(fā)生裝置,其特征在于:所述的絕緣層采用聚四氟乙烯。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的陣列電極式平板壁面微空泡發(fā)生裝置,其特征在于:絕緣層中成陣列式分布的微孔直徑范圍為50-500微米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學,未經(jīng)清華大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710099372.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





