[發(fā)明專利]一種包含一維納米材料敏感元件的傳感器的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710099167.8 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101308108A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周兆英;張旻;楊興 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 1000*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 包含 納米 材料 敏感 元件 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種包含一維納米材料敏感元件的傳感器的制備方法，首先在基片上形成的金屬電極對；其特征在于，將一維納米材料搭接于在基片上形成的金屬電極對上后，利用金屬電沉積技術(shù)在電極上電沉積一層金屬層，該金屬層壓覆固定一維納米材料在金屬電極對上，形成包含一維納米材料敏感元件的傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
1)采用半導(dǎo)體工藝在基片上形成金、銅、鉑或鎳的金屬電極對；
2)在基片表面的金屬電極對上搭接一維納米材料；
3)將上述步驟2)制得的搭接好一維納米材料基片放入電鍍槽中，在金屬電極對上電沉積金屬層，直至一維納米材料搭接在電極對上的兩端完全被所沉積的金屬層覆蓋；
4)將基片取出，清洗烘干，完成一維納米材料與金屬電極對的連接，形成包含一維納米材料敏感元件的傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器的制備方法，其特征在于，在步驟2)中還包括：
當(dāng)所搭接的一維納米材料為極性一維納米材料時，搭接完成后在金屬電極對上施加直流或矩形方波電壓進行電吸附處理，使得金屬電極對之間的電阻值＜107Ω，金屬電極與一維納米材料之間實現(xiàn)歐姆接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的金屬電極對為金、銅、鉑或鎳材料制成的金屬薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟3)電沉積的一層金屬包括具有導(dǎo)電性的銅、銀、金、鉑或鈀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟2)采用微操作的方法、介電電泳方法或CVD直接生長的方法在金屬電極對上搭接一維納米材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述的施加直流電壓值為1～10V。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述的施加矩形方波電壓的峰-峰值為1～10V，頻率為0.1～2000kHz。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器的制備方法，其特征在于，所述的施加矩形方波電壓包括帶有偏置的對稱或不對稱的矩形方波電壓。
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