[發明專利]提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構

無效

• 申請號: 200710099141.3
• 申請日: 2007-05-14
• 公開（公告）號: CN101308888A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 金燦;金鵬;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/343
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中包括：

一襯底；

一緩沖層，該緩沖層制作在襯底上面，該緩沖層的作用是屏蔽來自襯底的缺陷和使生長平面平整；

一量子阱層，該量子阱層制作在緩沖層上面，該量子阱層在勢壘層上生長時產生應力弛豫，并將這一應力弛豫導入其上面的量子點層，使浸潤層厚度減小；

一勢壘層，該勢壘層制作在量子阱層上面，該勢壘層對量子點層中的載流子起限制作用，防止其由于熱激發躍遷而導致的量子點材料光學性質溫度穩定性的下降；

一量子點層，該量子點層制作在勢壘層上面，該量子點層受激發時產生電子-空穴對，輻射復合發光；

一蓋層，該蓋層制作在量子點層上面，該蓋層的作用是改變量子點的光學性質，增大其基態和激發態的能級間距。

2、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所選用的襯底的材料是砷化鎵。

3、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述緩沖層的材料是砷化鎵。

4、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述量子阱層的材料是砷化銦鎵。

5、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述勢壘層的材料是砷化鎵。

6、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述量子點層的材料是砷化銦。

7、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述蓋層的材料是砷化鎵。

8、根據權利要求1所述的提高自組織量子點光學性質溫度穩定性的材料結構，其特征在于，其中所述的在襯底上制作的緩沖層、量子阱層、勢壘層、量子點層、蓋層是采用分子束外延或金屬有機化學氣相沉積的方法生長的。