[發明專利]大面積微納結構軟壓印方法

無效

• 申請號: 200710099102.3
• 申請日: 2007-05-11
• 公開（公告）號: CN101051184A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 董小春;杜春雷;史立芳;羅先剛
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司
• 代理人: 賈玉忠;盧紀

1.大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于步驟如下：

(1)首先采用光刻方法在第一硬質基片表面加工需要微納圖形結構，作為硬質模板；

(2)在加工完成的所述硬質模板表面涂預聚的有機材料PDMS，完成軟質模板的制作；

(3)將軟質模板的非圖形面黏附于經過雙面拋平的第二基片表面；

(4)將黏附有軟質模板的第二基片放置在旋轉設備的吸盤上，并在軟質模板的結構面滴加有機材料抗蝕劑進行旋涂，通過調節旋涂速度實現后續工藝中壓印有機材料抗蝕劑底膠厚度的控制以及底膠一致性的控制；

(5)準備經過拋光的第三基片作為微納圖形承載片，將旋涂完后被有機材料抗蝕劑填充的軟質模板從第二基片表面取下，并將軟質模板的結構面與第三基片的拋光面進行緊密接觸；

(6)將軟質模板從第三基片表面掀掉，有機材料抗蝕劑材質的微納結構將被遺留在第三基片表面；

(7)對有機材料抗蝕劑結構進行熱烘焙固化處理，并通過干法刻蝕工藝即可去除底膠或將微納圖形轉移至第三基片表面；

(8)利用軟質模板重復步驟(3)-(7)，即可實現快速批量微納結構的制備。

2.根據權利要求1所述的大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于：所述的有機材料抗蝕劑采用傳統微電子工藝中的光致抗蝕劑代替。

3.根據權利要求1所述的大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于：所述步驟(1)中的光刻方法為：激光直寫、或電子束直寫、或聚焦離子束直寫。

4.根據權利要求1所述的大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于：所述步驟(4)中的旋涂速度為500轉/分鐘-8000轉/分鐘，旋涂厚度取決于壓印有機材料的粘度，為50納米-2微米。

5.根據權利要求1或2所述的大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于：所述的旋轉設備為可用于液體和膠體甩涂的設備，旋轉速度大于1500轉/每分鐘。

6.根據權利要求1或2所述的大面積微納結構軟壓印方法，其特征在于：所述步驟(7)的中的熱烘焙溫度為60℃～150℃，熱烘焙固化時間為1分鐘-8個小時。