[發明專利]一種探測閃存物理參數的方法及裝置

無效

• 申請號: 200710099016.2
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101060014A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 黃磊
• 申請（專利權）人: 北京中星微電子有限公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20;G11C29/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及計算機技術領域，尤其涉及一種探測閃存物理參數的方法及裝置。

背景技術

閃存的標識(ID)用于標識閃存的型號，由于沒有一個標準化的組織存在，所以使用不同廠家生產的閃存，需要按照不同廠家自定義的規范來解析廠家各自生產的ID。

因此，在使用閃存時，需要維護一個龐大的閃存型號數據庫，而且，已經出廠的主控芯片無法識別新型閃存，需要更新軟件來識別，比如，操作系統Linux下的存儲設備接口子系統(MTD，memory?technology?devices)項目通過內建一個ID列表列舉了現在市面上不同廠家生產的閃存的標識和該閃存的物理參數的對照關系，其中，所述閃存的物理參數包括：每個芯片選通(CE)由幾個塊(Block)組成，每個塊由幾個頁面(Page)組成，每個頁面由多少字節組成，每個頁面的冗余區(Spare)的大小，一共有多少個CE支持未知的閃存型號。但是，所述列表需要不斷更新，對于需要把程序固化在芯片內部的應用，這種方式的局限性就相當大。

綜上，現有技術獲得閃存物理參數的方法局限性大。

發明內容

本發明提供一種探測閃存物理參數的方法及裝置，用以解決現有技術中存在獲得閃存物理參數的方法局限性大的問題。

本發明提供的一種探測閃存物理參數的方法包括步驟：

??對閃存的頁進行擦除操作后，將一定字節數據寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節數據，根據所述讀取的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

在對所述閃存的頁進行擦除操作時，每次擦除一定數量的頁。

當所述擦除操作失敗的次數為偶數時，將一定字節數據寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節數據，根據所述讀取的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

當第一次所述擦除操作成功時，向所述閃存的第一頁寫入一定字節數的數據，并從該頁讀取所述一定字節數據，根據所述讀取到的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數都相同時，該方法還包括：

讀取每個閃存的標識，根據相同的所述閃存標識的數量，確定有效的芯片選通的數量。

本發明提供的一種探測閃存物理參數的裝置包括：

擦除單元，用于對閃存的頁進行擦除操作；

探測頁大小單元，用于將一定字節數據寫入經過所述擦除單元處理后的閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節數據，根據所述讀取的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

所述擦除單元，在對所述閃存的頁進行擦除操作時，每次擦除一定數量的頁。

所述探測頁大小單元，當所述擦除操作失敗的次數為偶數時，將一定字節數據寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節數據，根據所述讀取的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

所述探測頁大小單元，當第一次所述擦除操作成功時，向所述閃存的第一頁寫入一定字節數的數據，并從該頁讀取所述一定字節數據，根據所述讀取到的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數。

該裝置還包括：

探測有效芯片選通數量單元，用于當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數都相同時，讀取每個閃存的標識，根據所述閃存標識的相同的數量，確定有效的芯片選通的數量。

本發明通過將一定字節數據寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節數據，根據所述讀取的數據與所述寫入的數據的相同數據的字節數，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數據的字節數的技術方案，可以探測出各種閃存的物理參數，從而避免了現有技術獲得閃存物理參數的方法局限性大的問題。

附圖說明

圖1為本發明方法實施例的流程示意圖；

圖2為本發明方法實施例的流程示意圖；

圖3為本發明方法實施例中探測閃存每個塊中包括的頁的數量的流程示意圖；

圖4為本發明方法實施例中探測閃存包括的塊的數量的流程示意圖；

圖5為本發明裝置實施例的結構示意圖。

具體實施方式