[發明專利]一種自適應控制閃存接口讀寫速度的裝置和方法

無效

• 申請號: 200710098914.6
• 申請日: 2007-04-29
• 公開（公告）號: CN101067968A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發明（設計）人: 張浩;李國新
• 申請（專利權）人: 北京中星微電子有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C29/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及閃存的技術領域，具體涉及到自適應控制閃存存儲器接口速度的裝置和方法。

背景技術

目前，隨著科學技術的發展，對于存儲介質來說，存儲器訪問速度的提高是人們非常關系的問題。由于存儲介質生產廠家非常多，存儲介質的種類和型號也就非常多，單說NAND?FLASH閃存就有幾百種。然而，各個廠家的產品的接口協議和速度時序要求不盡相同。為了兼容不同型號的存儲器，需要芯片控制器根據不同的存儲器接口協議，來配置合適的指令和接口傳輸速度。現有技術中，通常需要用戶對控制器進行一些配置，使得芯片控制器識別出所接的存儲器類型、接口速度等基本信息。

這樣，在缺乏配置工具的應用環境下使用具有多種傳輸速度的閃存變得十分不便；而且如果使用固定較低的接口速度，將使得速度較快的閃存發揮不出速度方面的優越性。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種自適應控制閃存接口讀寫速度的裝置及方法，無需增加額外的配置單元，系統就可以很方便地使閃存的接口讀寫速度達到最快。為達到上述目的，本發明提供的一種自適應控制閃存接口讀寫速度的裝置，包括閃存單元、讀寫控制單元、讀寫操作檢測單元、讀寫速度調節模塊，其中

所述閃存單元，具有可存儲所述讀寫控制單元寫入的數據的空白區；

所述讀寫控制單元，用于根據來自所述讀寫速度調節模塊的預設的或當前的讀寫速度，向所述閃存單元的空白區寫入用戶預設的數據，并在寫操作完成后以相同的讀寫速度從所述閃存單元的空白區讀取該數據，并將所讀取的數據發送給所述讀寫操作檢測單元；

所述讀寫操作檢測單元，用于檢測讀寫操作是否出現錯誤，并將檢測結果發送給讀寫控制單元；

所述讀寫控制單元，還用于根據讀寫操作檢測單元發送的檢測結果，向所述讀寫速度調節模塊發出調節當前的讀寫速度的控制指令，以在讀寫操作未出錯時，控制所述讀寫速度調節模塊加快當前的讀寫速度，直至讀寫操作出錯；并在讀寫操作出錯時，控制所述讀寫速度調節模塊降低當前的讀寫速度，直至讀寫操作正確，從而獲得調節后的對閃存的讀寫速度。

所述的讀寫速度調節模塊包括建立時間調節單元和建立時間存儲單元；

所述建立時間調節單元，用于根據所述讀寫控制單元發送的調節讀寫速度的控制命令，調節對閃存的讀寫波形建立時間；

所述建立時間存儲單元，用于存儲調節所得的對閃存讀寫波形建立時間值。

所述的讀寫速度調節模塊包括保持時間調節單元和保持時間存儲單元；

所述保持時間調節單元，用于根據所述讀寫控制單元發送的調節讀寫速度的控制命令，調節對閃存讀寫波形保持時間；

所述保持時間存儲單元，用于存儲調節所得的對閃存讀寫波形保持時間值。

所述讀寫操作檢測單元為讀寫比較單元，用于比較來自讀寫控制單元的數據與讀寫控制單元寫入閃存單元的數據是否相等，并將比較結果發送給讀寫控制單元；

或，

所述讀寫操作檢測單元為讀寫校驗單元，用于校驗由讀寫控制單元從閃存單元空白區讀取的數據的正確性，得出校驗結果，并發送給讀寫控制單元。

所述閃存為NAND?FLASH。

本發明還提供了一種自適應控制閃存的接口讀寫速度的方法，包括以下步驟：

1)以預設的或當前的讀寫速度向閃存空白區寫入數據；

2)以與步驟1)相同的讀寫速度從閃存空白區讀取數據；

3)檢測讀寫操作是否發生錯誤，得到檢測結果；

4)根據步驟3)所得檢測結果調節當前的讀寫速度，如果所得檢測結果為讀寫操作未發生錯誤，則加快當前的讀寫速度，將加快后的讀寫速度作為當前讀寫速度，并返回步驟1)，否則降低當前的讀寫速度直至讀寫操作正確，從而獲得調節后的對閃存的讀寫速度。

所述步驟3)中檢測讀寫操作是否發生錯誤具體為：比較從閃存空白區讀取的數據與向閃存空白區寫入的用戶預設的數據是否相等，如果兩者相等，則表明讀寫操作未發生錯誤；否則表明讀寫操作發生錯誤；

或，

將預設的校驗碼寫入閃存空白區，并進行校驗，如果校驗碼正確，則表明讀寫操作未發生錯誤；否則表明讀寫操作發生錯誤。

所述加快對閃存的讀寫速度，通過縮短對閃存讀寫波形的建立時間和/或保持時間實現；所述降低對閃存的讀寫速度，通過延長對閃存讀寫波形的建立時間和/或保持時間實現。

所述縮短對閃存讀寫波形的建立時間和/或保持時間，具體為：將對閃存讀寫波形的建立時間和/或保持時間以一個固定值遞減。