[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710098171.2 | 申請日： | 2007-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN101290958A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙自皓;李曉喬;許晉源 | 申請（專利權(quán)）人： | 億光電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 徐金國;梁揮 |
| 地址： | 臺灣省臺北縣土*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1、一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包含：
一散熱塊；
一發(fā)光二極管芯片，位于該散熱塊上；
一鉆石粉末層，包覆于該發(fā)光二極管芯片上，且共形于該發(fā)光二極管芯片的表面；
一熒光粉硅膠層，包覆于該鉆石粉末層上，且共形于該鉆石粉末層的表面；以及
一透鏡層，包覆于該熒光粉硅膠層外，其中該發(fā)光二極管芯片、該鉆石粉末層、該熒光粉硅膠層以及該透鏡層的折射率依序遞減。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鉆石粉末層的厚度介于0.1微米至約0.5微米的范圍。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鉆石粉末層的折射率約1.7。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光粉硅膠層的厚度介于約20微米到約50微米的范圍。
5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光粉硅膠層的折射率約1.54。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透鏡層的折射率約1.4。
7、一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包含：
一散熱塊；
一發(fā)光二極管芯片，位于該散熱塊上；
一鉆石粉末層，包覆于該發(fā)光二極管芯片上，且共形于該發(fā)光二極管芯片的表面；
一熒光粉高分子材料層，包覆于該鉆石粉末層上，且共形于該鉆石粉末層的表面；以及
一透鏡層，包覆于該熒光粉高分子材料層外，其中該發(fā)光二極管芯片、該鉆石粉末層、熒光粉高分子材料層以及該透鏡層的折射率依序遞減。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鉆石粉末層的厚度介于約0.1微米至約0.5微米的范圍。
9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鉆石粉末層的折射率約1.7。
10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光粉高分子材料層的厚度介于約20微米到約50微米的范圍。
11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光粉高分子材料層的折射率約1.68。
12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透鏡層為一高分子膠材與無機納米級顆粒的混合物。
13、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透鏡層的折射率介于約1.4到約1.68的范圍。
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