[發明專利]靜態半導體存儲器無效
| 申請號： | 200710098134.1 | 申請日： | 2007-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN101071634A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發明（設計）人： | 小池剛;金原旭成 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/417 | 分類號： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 徐金國;梁揮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜態 半導體 存儲器 | ||
1、一種靜態存儲器，其特征在于，包括：
存儲單元，其包括一對P-溝道MOS負載晶體管、一對N-溝道MOS傳輸晶體管和一對N-溝道MOS驅動晶體管；
虛擬存儲單元，其包括一對P-溝道MOS負載晶體管、一對N-溝道MOS傳輸晶體管和一對N-溝道MOS驅動晶體管；以及
電壓控制電路，其在所述存儲單元中的數據寫入操作中執行至少一個以下寫入輔助操作：
降低分配到所述存儲單元和所述虛擬存儲單元的所述P-溝道MOS負載晶體管的源極電源的電壓；
增加分配到所述存儲單元和所述虛擬存儲單元的所述N-溝道MOS驅動晶體管的源極電源的電壓；
增加所述存儲單元和所述虛擬存儲單元的所述P-溝道MOS負載晶體管的基板電勢；
增加所述存儲單元和所述虛擬存儲單元的所述N-溝道MOS傳輸晶體管的基板電勢；以及
降低所述存儲單元和所述虛擬存儲單元的所述N-溝道MOS驅動晶體管的基板電勢。
并且此后，在檢測到所述虛擬存儲單元中的數據寫入操作完成時，結束所述寫入輔助操作。
2、根據權利要求1所述的靜態半導體存儲器，其特征在于，還包含另一虛擬存儲單元，該虛擬存儲單元包括一對P-溝道MOS負載晶體管、一對N-溝道MOS傳輸晶體管和一對N-溝道MOS驅動晶體管，
其中，基于指示所述虛擬存儲單元中的各自數據寫入操作完成的信號的邏輯運算結果，所述電壓控制電路確定結束所述寫入輔助操作的時序。
3、根據權利要求1所述的靜態半導體存儲器，其特征在于，還包含另一存儲單元，其包括一對P-溝道MOS負載晶體管、一對N-溝道MOS傳輸晶體管和一對N-溝道MOS驅動晶體管并且其與所述存儲單元共用一條字線，
其中，所述電壓控制電路利用所述虛擬存儲單元在各個所述存儲單元中執行相同的寫入輔助操作。
4、根據權利要求1所述的靜態半導體存儲器，其特征在于，還包含另一存儲單元，其包括一對P-溝道MOS負載晶體管、一對N-溝道MOS傳輸晶體管和一對N-溝道MOS驅動晶體管并與所述存儲單元共用一對位線，
其中，所述電壓控制電路利用所述虛擬存儲單元在各個所述存儲單元中執行相同的寫入輔助操作。
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