[發明專利]一種CMOS圖像傳感器的有源像素的制造方法

無效

• 申請號: 200710098045.7
• 申請日: 2007-04-26
• 公開（公告）號: CN101295724A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 高文玉;李秋德;彭川;王科軍
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82;H01L21/8238
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 王光輝

1.一種互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器的有源像素的制造方法，其特征是包括以下步驟：

步驟1，在襯底上形成硅薄膜，在硅薄膜上形成場區，P阱和/或N阱，在硅薄膜上方形成柵氧化層，在柵氧化層上沉積多晶硅，形成轉移晶體管或重置晶體管的柵電極；

步驟2，覆蓋光阻膜，暴露出二極管需要植入N型雜質的區域，植入1層或1層以上的N型雜質后去除剩余光阻膜；

步驟3，在多晶硅的側壁形成側壁電介質，而后再覆蓋光阻膜，暴露出二極管需要植入P型雜質的區域，以預定的合適角度植入P型雜質后去除剩余光阻膜，得到鉸接型光電二極管。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征是所述步驟1中由N+型多晶硅形成轉移晶體管或重置晶體管的柵電極，采用淀積時現場摻雜或離子植入摻雜的方式形成。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征是所述步驟2中的1層或1層以上的N型雜質植入，用步驟1中阱形成后植入N層雜質替換或補充。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于在所述步驟1之后，沉積光阻膜，曝光并顯影后植入轉移晶體管或者重置晶體管漏端所需的N-雜質離子，去除剩余光阻膜。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于在所述步驟3之后，沉積光阻膜，曝光并顯影后植入轉移晶體管或者重置晶體管漏端所需的N+雜質離子，去除剩余光阻膜。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征是所述步驟1中場區形成后，在光電二極管上方通過熱氧化形成高質量氧化層。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征是如果上述有源像素為3T晶體管結構，則形成由高質量氧化層構成的柵氧化層后，所述步驟1中的多晶硅采用兩層多晶硅薄膜，其中下層多晶硅淀積后蝕刻通孔到二極管N區硅表面，再淀積上層多晶硅使之連接二極管硅N區。