[發明專利]有機發光顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 200710097864.X | 申請日: | 2007-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN101179110A | 公開(公告)日: | 2008-05-14 |
| 發明(設計)人: | 金鐘允;崔炳德 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;韓素云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示器 及其 制造 方法 | ||
本申請參考先前于2006年11月10日在韓國知識產權局提交并適時地分配序列號10-2006-0111298的題為“有機發光顯示器及其制造方法”的申請,將其包含于此并要求其全部權益。
技術領域
本發明涉及一種有機發光顯示器及其制造方法,更具體地講,本發明涉及這樣一種有機發光顯示器及其制造方法,即在該有機發光顯示器及其制造方法中,防止在制造工藝過程中或制造工藝之后UV線穿過基底沖擊(impinging)有機發光二極管,防止彎曲或損壞,并縮短了制造工藝時間。
背景技術
通常,有機發光顯示器是當通過向熒光或磷光有機化合物提供電流而使電子和空穴結合時發光的自發射顯示裝置。通過電壓驅動n×m有機發光二極管或對n×m有機發光二極管寫入電流來顯示圖像。
如圖1所示,這樣的有機發光顯示器包括陽極電極(ITO:氧化銦錫)、有機薄膜和陰極電極(金屬)。有機薄膜由以下層構成:發射層(EML),當電子和空穴結合時通過產生激子來發光;電子傳輸層(ETL),控制電子的運動速度;空穴傳輸層(HTL),控制空穴的運動速度。此外,在ETL中可形成電子注入層(EIL),在HTL中可形成空穴注入層(HIL)。
由于這樣的有機發光顯示器的優點在于視角寬、響應速度快、自發光和能耗低,所以它被很好地用作運動圖像顯示裝置,并可被制造為輕型的且薄型的。此外,可在低溫下制造有機發光顯示器,且由于制造工藝簡單,所以可以以低成本制造有機發光顯示器。此外,由于有機發光材料技術和工藝技術日益發展,所以期望有機發光顯示器將替代傳統的平板顯示裝置。
由于正在以薄且緊湊的尺寸制造的諸如蜂窩式電話、個人數字助理(PDA)、筆記本計算機、計算機監視器和電視機的電子設備正不斷增加,所以要求有機發光顯示器的厚度為1mm或更小。然而,還沒有足夠好地開發能夠替代包封技術的保護膜技術,難以制造厚度為1mm或更小的有機發光顯示器。
因此,為了制造厚度為1mm或更小的有機發光顯示器,第JP2005-340182、JP2005-222930和JP2005-222789號日本專利描述了這樣一種方法,在該方法中,通過在兩個玻璃基底上分別形成二極管層(半導體層和有機發光二極管等),結合玻璃基底使得相應的二極管層彼此面對,利用蝕刻或研磨工藝去除玻璃基底的沒有二極管層的表面,來制造纖細的有機發光顯示器。
然而,在這種方法中存在一個問題,即,因為在玻璃基底上分別形成半導體層或有機發光二極管,隨后執行蝕刻或研磨工藝,所以延長了制造工藝時間。此外,因為在結合工藝過程中經常損壞或折斷玻璃基底、半導體層和有機發光二極管,所以生產率低,因此制造成本高。
當然,可以制造厚度為1mm或更小的玻璃基底,隨后在玻璃基底的表面上形成二極管層。然而,存在一個問題,即,玻璃基底的厚度太薄,所以在制造工藝過程中由于與制造機器的機械接觸而導致玻璃基底彎曲或折斷。
發明內容
已經開發出本發明來克服以上問題,本發明的一個目的是提供一種薄型有機發光顯示器及其制造方法。
本發明的另一目的在于提供一種有機發光顯示器,該有機發光顯示器防止在制造工藝過程中或制造工藝之后UV線穿過基底沖擊有機發光二極管。
本發明的又一目的在于防止基底在制造工藝過程中彎曲或折斷。
本發明的又一目的在于通過縮短制造工藝時間來增大生產率,并降低制造成本。
為了實現上述目的,提供了一種有機發光顯示器,該有機發光顯示器包括:基底;有機發光二極管、絕緣層和半導體層,布置在所述基底上,所述絕緣層布置在所述有機發光二極管和所述半導體層之間;非透射層,布置在所述絕緣層上,所述非透射層布置在所述絕緣層和所述有機發光二極管之間并阻擋UV線。
優選地,所述有機發光顯示器還包括:緩沖層,布置在所述基底上;柵極絕緣層,布置在所述半導體層上;柵電極,布置在所述柵極絕緣層上;層間介電層,布置在所述柵電極上;源/漏電極,布置在所述層間介電層上,其中,所述絕緣層布置在所述源/漏電極和所述有機發光二極管之間。
優選地,所述非透射層布置在所述有機發光二極管的外圍。優選地,所述非透射層在所述絕緣層的對應于所述半導體層的上表面上布置在所述有機發光二極管的外圍。優選地,所述非透射層在所述絕緣層的不對應于所述半導體層的上表面上布置在所述有機發光二極管的外圍。優選地,所述非透射層連接到所述有機發光二極管的陽極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





