[發明專利]像素結構的制作方法以及像素結構

有效

• 申請號: 200710097482.7
• 申請日: 2007-05-09
• 公開（公告）號: CN101055854A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 陳昱丞
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種像素結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，該基板具有一像素區；

依序形成一第一金屬層、一柵絕緣層與一半導體層于該基板上；

圖案化該第一金屬層、該柵絕緣層與該半導體層，以形成一晶體管圖案、一下層電容圖案，一下層線路圖案，其中該晶體管圖案與該下層電容圖案分別包括該第一金屬層、該柵絕緣層與該半導體層，而該下層線路圖案包括該第一金屬層；

依序形成一介電層與一電極層于該基板上，其中該介電層與該電極層覆蓋該晶體管圖案、該下層電容圖案與該下層線路圖案；

圖案化該介電層與該電極層，以暴露出部分該下層線路圖案、部分該下層電容圖案以及該晶體管圖案的一源極/漏極區；

形成一第二金屬層于該電極層上，并使該第二金屬層電性連接至該下層線路圖案、該下層電容圖案以及該晶體管圖案的該源極/漏極區；以及

圖案化該第二金屬層與該電極層，以形成一上層線路圖案、一源極/漏極圖案以及一上層電容圖案，并且該像素區內的該第二金屬層暴露出部分的該電極層以作為一像素電極。

2.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，還包括在圖案化該介電層與該電極層之后，以圖案化的該介電層與該電極層作為掩膜，對該下層電容圖案的部分該半導體層以及該源極/漏極區的該半導體層進行離子摻雜。

3.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，該圖案化該第一金屬層、該柵絕緣層與該半導體層的步驟是經由一半調式光掩膜工序、一灰調式光掩膜工序或經由不同曝光能量的兩張光掩膜工序。

4.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，該圖案化該第二金屬層與該電極層的步驟是經由一半調式光掩膜工序、一灰調式光掩膜工序或經由不同曝光能量的兩張光掩膜工序。

5.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，還包括：

在圖案化該介電層與該電極層之后，形成一摻雜半導體層于該電極層上，并使該摻雜半導體層連接至該下層線路圖案、該下層電容圖案以及該晶體管圖案的該源極/漏極區；以及

在圖案化該第二金屬層與該電極層時，同時圖案化該摻雜半導體層，以使該摻雜半導體層與該第二金屬層具有相同的圖案。

6.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，還包括：

在形成該第二金屬層之后，形成一保護層于該第二金屬層上；以及

在圖案化該第二金屬層與該電極層時，同時圖案化該保護層，以使該保護層與該第二金屬層具有相同的圖案。

7.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，還包括在圖案化該第二金屬層與該電極層時，使該像素區外的該第二金屬層暴露出部分的該電極層，以作為一接墊，其中該接墊連接該上層線路圖案。

8.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，圖案化該第一金屬層、該柵絕緣層與該半導體層的方法包括：

形成一第一光刻膠層于該半導體層上；

經由一第一半調式光掩膜對該第一光刻膠層進行微影工序，以在該像素區內形成具有第一厚度的一晶體管光刻膠圖案與一下層電容光刻膠圖案，并且在該像素區外形成具有第二厚度的一下層線路光刻膠圖案，其中該第一厚度大于該第二厚度；

以該第一光刻膠層為掩膜對該第一金屬層、該柵絕緣層與該半導體層進行蝕刻，形成分別對應于該下層線路光刻膠圖案、該晶體管光刻膠圖案與該下層電容光刻膠圖案的該下層線路圖案、該晶體管圖案與該下層電容圖案；

移除該晶體管光刻膠圖案的部分厚度、該下層電容光刻膠圖案的部分厚度、該下層線路光刻膠圖案以及該下層線路圖案中的該半導體層；以及

移除剩余的該第一光刻膠層。

9.根據權利要求8所述的像素結構的制作方法，其特征在于，還包括移除該下層線路圖案中的該柵絕緣層。