[發明專利]存儲元件和存儲器無效
| 申請號： | 200710097364.6 | 申請日： | 2007-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101071628A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發明（設計）人： | 山元哲也;大森廣之;細見政功;肥后豐;山根一陽;大石雄紀;鹿野博司 | 申請（專利權）人： | 索尼株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 元件 存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲元件，包括：
存儲層，其基于磁性材料的磁化狀態來保持信息，其中，
經由中間層為所述存儲層設置磁化固定層；
所述中間層由絕緣體形成；
自旋極化電子沿堆疊方向被注入，以改變所述存儲層的磁化方向，從而將信息記錄在所述存儲層中；以及
形成所述存儲層的鐵磁性層具有1×10-5或更大的磁致伸縮常數。
2.根據權利要求1所述的存儲元件，其中，
形成所述存儲層的所述鐵磁性層具有150Oe或更大的抗磁力。
3.一種存儲器，包括：
存儲元件，具有存儲層，所述存儲層基于磁性材料的磁化狀態而保持信息；以及
彼此交叉的兩類配線，其中，
所述存儲元件具有磁化固定層，所述磁化固定層是經由中間層為所述存儲層而設置的；所述中間層由絕緣體形成；
自旋極化電子沿堆疊方向被注入，以改變所述存儲層的磁化方向，從而將信息記錄在所述存儲層中；并且
形成所述存儲層的鐵磁性層具有1×10-5或更大的磁致伸縮常數；
所述存儲元件設置在所述兩類配線的交叉點附近以及所述兩類配線之間，并且
沿所述堆疊方向的電流通過所述兩類配線流入所述存儲元件中。
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