[發明專利]發光晶體管

無效

• 申請號: 200710097363.1
• 申請日: 2007-05-11
• 公開（公告）號: CN101087008A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 文元河;崔昌煥;黃永南
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

相關申請交叉參考

本申請要求于2006年6月8日向韓國知識產權局提交的第10-2006-0051214號韓國專利申請的權益，其公開內容結合于此作為參考。

技術領域

本發明涉及一種發光晶體管，其可以同時獲得光學特性和電學特性。

背景技術

通常，發光二極管(LED)產生通過使用半導體p-n結型結構注入的少數載流子(電子或空穴)，并且重新結合少數載流子以便發光。換句話說，如果正向電壓施加于半導體的特定元件，電子和空穴在穿過正極與負極之間的接合部分的同時重新結合。由于這種狀態下的能量比電子和空穴處于分離的狀態下的能量小，因而在這個時候由于產生能量差而發光。

這樣的LED可以通過使用低電壓而高效率地發光。因此，LED用于家庭用具、遙控裝置、電子顯示板、標識器、自動化設備等。

同時，大多數半導體電子元件都表現為晶體管，并且由III-V和II-VI族氮化物半導體構成的晶體管被制造成用于各個領域。

然而，幾乎從來沒有進行過用于發光的晶體管方面的研究。在該技術領域中，需要一種用于獲得光學特性和電學特性的新方法。

發明內容

本發明的優點在于，它提供了一種可以同時獲得光學特性和電學特性的發光晶體管。

本總發明構思的其它方面和優點將在接下來的描述中部分地進行闡述，且從該描述中將部分地變得顯而易見，或者可以通過該總發明構思的實施而獲知。

根據本發明的一個方面，發光晶體管包括：第一導電型集電極層，形成于基板上；第二導電型基極層，形成于該集電極層的預定區域上；集電極，形成于該集電極層上未形成有基極層的區域上；第一導電型發射極層，形成于該基極層的預定區域上；基電極，形成于該基極層上未形成有發射極層的區域上；發射電極，形成于該發射極層上；第一激活(activation)層，形成于該集電極層與基極層之間；以及第二激活層，形成于該基極層與發射極層之間。

根據本發明的另一個方面，發光晶體管包括：第一導電型集電極層，形成于基板上；第二導電型基極層，形成于該集電極層的預定區域上；集電極，形成于該集電極層上未形成有基極層的區域上；第一導電型發射極層，形成于該基極層的預定區域上；基電極，形成于該基極層上未形成有發射極層的區域上；發射電極，形成于該發射極層上；以及激活層，形成于該集電極層與基極層之間。

根據本發明的又一方面，發光晶體管包括：第一導電型集電極層，形成于基板上；第二導電型基極層，形成于該集電極層的預定區域上；集電極，形成于該集電極層上未形成有基極層的區域上；第一導電型發射極層，形成于該基極層的預定區域上；基電極，形成于該基極層上未形成有發射極層的區域上；發射電極，形成于該發射極層上；以及激活層，形成于該基極層與發射極層之間。

根據本發明的再一方面，該第一導電型為n-型，而該第二導電型為p-型。

根據本發明的再一方面，該第一導電型為p-型，而該第二導電型為n-型。

根據本發明的再一方面，該集電極層、基極層、發射極層、以及激活層由II-VI或III-V族化合物半導體形成。

根據本發明的再一方面，該II-VI族化合物半導體是ZnSe、ZnTe、ZnSeTe、ZnS、ZnO、CdSe、CdS、CdTe、ZnCdS、ZnCdSe、ZnCdSeTe、ZnCdSTe等。

根據本發明的再一方面，該III-V族化合物半導體是GaAs、GaAlAs、GaInAs、InAs、InP、InSb、GaSb、GaInSb、GaN、GaInN等。

附圖說明

通過下面結合附圖對實施例的描述，本總發明構思的這些和/或其它方面以及優點將變得明顯并且更加容易理解，圖中：

圖1是示出了根據本發明實施例的發光晶體管的結構的平面圖；

圖2至圖4是沿圖1的線I-I′截取的截面圖；以及

圖5A和圖5B分別是示出了根據本發明實施例的發光晶體管的等效電路圖和I-V曲線圖。

具體實施方式

下面將詳細描述本總發明構思的實施例，其實例在附圖中示出，通篇中，相同的參考標號表示相同的元件。為了解釋本總發明構思，下面參照附圖對實施例進行描述。在附圖中，為清楚起見，層和區域的厚度被放大了。

下面，將參照圖1至圖5詳細描述根據本發明實施例的發光晶體管。

圖1是示出了根據本發明實施例的發光晶體管的結構的平面圖，以及圖2至圖4是沿圖1的線I-I′截取的截面圖。