[發(fā)明專利]內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與晶片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710097048.9 | 申請(qǐng)日： | 2007-04-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101093824A | 公開（公告）日： | 2007-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳憲偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H01L23/482;H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陳晨 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 連線 結(jié)構(gòu) 晶片 | ||
1.一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，包括：
多個(gè)介電層，在至少一切割線上具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)排列的工藝控制監(jiān)測(cè)墊；以及
一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊之上，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊至其上方的一待測(cè)元件，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸及形狀被設(shè)計(jì)為露出該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的主要部分，以利于一電路探針接近。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的接觸位置位于或靠近該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的周邊。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的形狀為一C形或U形。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含延伸平行所述切割線的多條接觸延伸線。
5.如權(quán)利要求4所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述接觸延伸線偏離所述切割線的中央。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中至少約60％的該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊經(jīng)由該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)露出，以利于該電路探針接近。
7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中至少約85％以上的該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊經(jīng)由該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)露出，以利于該電路探針接近。
8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有一接觸部分，從該待測(cè)元件大抵垂直地延伸，穿過(guò)一保護(hù)層與該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊接觸，該接觸部分的寬度小于該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的長(zhǎng)度。
9.一種晶片，包括：
一基底，在該基底上方具有多個(gè)集成電路，以及在兩個(gè)集成電路之間具有至少一切割線；
多個(gè)介電層，在所述至少一切割線內(nèi)形成，并且在所述至少一切割線內(nèi)具有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)排列的工藝控制監(jiān)測(cè)墊；以及
一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊之上，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊至其上方的一待測(cè)元件，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的尺寸及形狀被設(shè)計(jì)為露出該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的主要部分，以利于一電路探針接近。
10.如權(quán)利要求9所述的晶片，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的形狀為一多邊形，延伸包圍該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊周邊，且具有一開口使得該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的一內(nèi)部區(qū)域露出。
11.如權(quán)利要求9所述的晶片，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的接觸位置位于或靠近該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊的周邊。
12.如權(quán)利要求9所述的晶片，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的形狀為一C形或U形。
13.如權(quán)利要求9所述的晶片，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含延伸平行所述切割線的多條接觸延伸線。
14.如權(quán)利要求13所述的晶片，其中所述接觸延伸線偏離所述切割線的中央。
15.如權(quán)利要求14所述的晶片，其中所述接觸延伸線的末端互相連接，形成一環(huán)形物包圍該最上方的工藝控制監(jiān)測(cè)墊。
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