[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710096910.4 | 申請日： | 2007-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN101060156A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小池正妤;金范埈 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 章社杲;吳貴明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 芯片 | ||
1.一種發(fā)光二極管(LED)芯片，包括：
基板；以及
發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括依次沉積在所述基板上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，
其中，當(dāng)所述基板的長度為L，且所述基板的寬度為W時，L/W＞10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L/W＞20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板的底部表面和所述LED芯片的側(cè)部為主光線輸出表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L大于5mm，且W小于500μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體，而所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層為p型半導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板由選自GaN、SiC、GaAs、GaP、ZnO、和藍寶石組成的組中的材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述有源層、以及所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層由第III族氮化物半導(dǎo)體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進一步包括：
第一電極，形成在所述基板的所述底部表面上；以及
第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體上，以與所述第一電極相對。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括焊盤部以及縱向延伸至所述LED芯片的至少一個線路部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括：
兩個線路部，縱向延伸至所述LED芯片；以及
焊盤部，設(shè)置在所述兩個線路部之間，且連接所述兩個線路部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進一步包括：
第一電極，形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一部分上；以及
第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，
其中，所述第一電極和所述第二電極設(shè)置在所述LED芯片的同側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED芯片，所述LED芯片為倒裝芯片。
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