[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096910.4
• 申請(qǐng)日: 2007-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN101060156A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小池正妤;金范埈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

1.一種發(fā)光二極管(LED)芯片，包括：

基板；以及

發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括依次沉積在所述基板上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，

其中，當(dāng)所述基板的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，且所述基板的寬度為W時(shí)，L/W＞10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L/W＞20。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板的底部表面和所述LED芯片的側(cè)部為主光線輸出表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L大于5mm，且W小于500μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體，而所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層為p型半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板由選自GaN、SiC、GaAs、GaP、ZnO、和藍(lán)寶石組成的組中的材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述有源層、以及所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層由第III族氮化物半導(dǎo)體形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進(jìn)一步包括：

第一電極，形成在所述基板的所述底部表面上；以及

第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體上，以與所述第一電極相對(duì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括焊盤部以及縱向延伸至所述LED芯片的至少一個(gè)線路部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括：

兩個(gè)線路部，縱向延伸至所述LED芯片；以及

焊盤部，設(shè)置在所述兩個(gè)線路部之間，且連接所述兩個(gè)線路部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進(jìn)一步包括：

第一電極，形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一部分上；以及

第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，

其中，所述第一電極和所述第二電極設(shè)置在所述LED芯片的同側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED芯片，所述LED芯片為倒裝芯片。