[發明專利]存儲元件和存儲器

有效

• 申請號: 200710096904.9
• 申請日: 2007-04-16
• 公開（公告）號: CN101060160A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 細見政功;大森廣之;山元哲也;肥后豐;山根一陽;大石雄紀;鹿野博司
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16;H01F10/32
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種存儲元件，包括：

存儲層，基于磁性材料的磁化狀態來保持信息，其中 通過中間層對所述存儲層設置磁化固定層，

所述中間層由絕緣體形成，

自旋極化電子以堆疊方向注入以改變所述存儲層的磁化 方向，從而將信息記錄在所述存儲層中，以及

微細氧化物分層分布在形成所述存儲層的鐵磁層的整個 或部分中，

其中，根據存儲層的總體積，氧化物的體積比為大于等 于5％至小于等于40％，以及

其中，所述氧化物的簇每個均具有1nm到3nm的尺寸。

2.根據權利要求1所述的存儲元件，其中

形成所述存儲層的所述鐵磁層具有200[Oe]或更大的抗 磁力。

3.根據權利要求1所述的存儲元件，其中

所述微細氧化物是從以下各物中選出的氧化物：氧化硅、 氧化鋁、氧化鎂、氧化鉭、氧化釓、氧化鈦、氧化硼、氧化鋅、 氧化鎵、氧化釔、氧化鋯、氧化鉿、及其合成混合物。

4.一種存儲器，包括：

存儲元件，具有基于磁性材料的磁化狀態來保持信息的 存儲層；以及

彼此相交的兩種配線，其中

所述存儲元件具有通過中間層對所述存儲層設置磁化固 定層的結構；

所述中間層由絕緣體形成；

自旋極化電子以堆疊方向注入以改變所述存儲層的磁化 方向，從而將信息記錄在所述存儲層中，以及

微細氧化物分層分布在形成所述存儲層的鐵磁層的整個 或部分中，

所述存儲元件置于所述兩種配線的交叉點附近并且置于 所述兩種配線之間，以及

沿所述堆疊方向的電流通過所述兩種配線流入所述存儲 元件中，

其中，根據存儲層的總體積，氧化物的體積比為大于等 于5％至小于等于40％，以及

其中，所述氧化物的簇每個均具有1nm到3nm的尺寸。