[發明專利]同時制造自對準接觸窗和局部內連線的方法

無效

• 申請號: 200710096871.8
• 申請日: 2007-04-05
• 公開（公告）號: CN101051623A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 駱統;楊令武;陳光釗
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 郭蔚

1.一種在一半導體基板上制造多個半導體元件的方法，包括下列步驟：

在該半導體基板上形成多個多層結構，其中在所述多層結構之間及下方有一主動源極及漏極元件區；

在有所述多層結構的該半導體基板上，形成一蝕刻終止層；

形成一第一介電層在該蝕刻終止層上，其中該第一介電層的厚度大于所述多層結構與該蝕該終止層的總厚度；

平坦化該第一介電層，使部分的該蝕刻終止層露出；

蝕刻該第一介電層及該蝕刻終止層，以同時制造出多個局部內連線及多個接觸窗，其中所述接觸窗具有多個第一部分，其中所述接觸窗的所述第一部分具有多個開口；

沉積一第一導電層在所述接觸窗的所述第一部分及所述局部內連線上；

以化學機械研磨法平坦化該第一導電層，以移除不在所述局部內連線及所述接觸窗的所述第一部分的所述開口上的該第一導電層；

沉積一第二介電層在該第一導電層之上；

在所述接觸窗的所述第一部分上圖案化所述接觸窗的多個第二部分，并蝕刻該第二介電層，以在所述接觸窗的所述第一部分上制造所述接觸窗的所述第二部分的多個開口；以及

在所述接觸窗的所述第二部分中填入一第二導電層，其中該第二導電層與在所述接觸的所述第一部分的所述窗開口處的該第一導電層接觸。

2.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，所述多層結構系包括一浮動柵極和一控制柵極的一柵極結構。

3.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該蝕該終止層為一氮化物層。

4.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該第一介電層系以等離子體增強型化學氣相沉積法所成長的硼磷硅玻璃層。

5.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該第一導電層為一鎢層。

6.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該第二介電層系以等離子體增強型化學氣相沉積法所成長的二氧化硅層。

7.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該第二導電層為一鎢層。

8.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，該蝕刻終止層系作為以化學機械研磨法平坦化該第二導電層時的終止層。

9.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，所述半導體元件為多個快閃存儲器。

10.根據權利要求1所述的制造多個半導體元件的方法，其特征在于，所述半導體元件為多個動態隨機存取存儲器(DRAM)。

11.一種在一半導體基板上制造多個存儲器元件的方法，包括下列操作：

在該半導體基板上形成多個多層柵極結構，其中在所述多層柵極結構的之間及下方有一主動源極及漏極元件區；

在有所述多層結構的該半導體基板上，形成一氮化物蝕刻終止層；

形成一第一介電層在該蝕刻終止層上，其中該第一介電層的厚度大于所述多層結構與該蝕該終止層的總厚度；

以化學機械研磨法平坦化該第一介電層，以除去在該基板上的所述多層結構的拓樸，且該蝕刻終止層系作為化學機械研磨時的終止層；

圖案化多個第一部分自對準接觸窗及多個局部內連線，并蝕刻該第一介電層及該蝕刻終止層，以同時制造多個自對準接觸窗及所述局部內連線，其中所述自對準接觸窗具有多個第一部分，其中所述自對準接觸窗的所述第一部分具有多個開口；

沉積一第一導電層在所述接觸窗的所述第一部分及所述局部內連線上；

用化學機械研磨法平坦化該第一導電層，以移除不在所述接觸窗的所述第一部分及所述局部內連線上的該第一導電層；

沉積一第二介電層在該第一導電層上；

在所述接觸窗的該第一部分上圖案化所述自對準接觸窗的多個第二部分，并蝕刻該第二介電層以制造出所述接觸窗的所述第二部分的多個開口；

在所述接觸窗的所述第二部分上沉積一第二導電層，其中該第二導電層與所述接觸窗的所述第二部分接觸；以及

以化學機械研磨法平坦化該第二導電層，以移除不在所述接觸窗的所述第二部分上的該第二導電層。