[發(fā)明專利]利用延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)技術(shù)檢測(cè)充電效應(yīng)的測(cè)試結(jié)構(gòu)與方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096718.5
• 申請(qǐng)日: 2007-04-06
• 公開（公告）號(hào): CN101055848A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭明昌;李明修;吳昭誼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 韓宏

1.一種用以監(jiān)控從半導(dǎo)體工藝步驟中所獲得的硅襯底上所形成的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的電荷狀態(tài)的方法，該方法包括：

在該測(cè)試結(jié)構(gòu)上實(shí)施一第一電容-電壓測(cè)量以獲得一第一電容-電壓量變曲線；

使該測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)入該半導(dǎo)體工藝步驟；

在該測(cè)試結(jié)構(gòu)上實(shí)施一第二電容-電壓測(cè)量以獲得一第二電容-電壓量變曲線；

根據(jù)該測(cè)量而檢測(cè)在該一第一與一第二電容-電壓量變曲線之間是否產(chǎn)生平帶電壓偏移；以及

當(dāng)無平帶電壓偏移時(shí)，至少部分根據(jù)延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)信息而監(jiān)控該測(cè)試結(jié)構(gòu)的該電荷狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括當(dāng)電荷-電容量變曲線中產(chǎn)生平帶電壓偏移時(shí)，決定該測(cè)試結(jié)構(gòu)的電荷狀態(tài)是否是均勻的。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括根據(jù)該延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)信息而檢測(cè)邊緣充電效應(yīng)。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括柵極以及擴(kuò)散區(qū)域，該方法還包括將探針直接置于該柵極與該擴(kuò)散區(qū)域上，并利用該些探針監(jiān)控該電荷狀態(tài)。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括柵極、擴(kuò)散區(qū)域、以及連接至該柵極與該擴(kuò)散區(qū)域的內(nèi)連接線，該方法還包括將探針置于該內(nèi)連接線上并利用這些探針監(jiān)控該電荷狀態(tài)。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括根據(jù)該所監(jiān)控的電荷狀態(tài)而調(diào)整至少部分與該工藝步驟有關(guān)的參數(shù)。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

形成該測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括襯底、形成于該襯底上的柵極、形成于該柵極與該襯底間的陷獲層、以及形成于該襯底上并位于該柵極側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括當(dāng)電荷-電容量變曲線中產(chǎn)生平帶電壓偏移時(shí)，決定該測(cè)試結(jié)構(gòu)的電荷狀態(tài)是否為均勻的。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括根據(jù)測(cè)得的該延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)信息而檢測(cè)邊緣充電效應(yīng)。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括將探針直接置于該柵極與該擴(kuò)散區(qū)域上、并利用該些探針監(jiān)控該電荷狀態(tài)。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

形成多個(gè)該測(cè)試結(jié)構(gòu)，該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)包括襯底、形成于該襯底上的柵極、形成于該柵極與該襯底間的陷獲層、以及形成于該襯底上并位于該柵極側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域；

使該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)入該半導(dǎo)體工藝步驟；

實(shí)施電容-電壓測(cè)量于該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)，以對(duì)該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)產(chǎn)生電容-電壓量變曲線；

根據(jù)該測(cè)量而檢測(cè)是否在該每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)所對(duì)應(yīng)的該電容-電壓量變曲線其中之一中有產(chǎn)生平帶電壓偏移；以及

當(dāng)該些多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的一個(gè)并無平帶電壓偏移時(shí)，根據(jù)至少部分的延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)信息，而監(jiān)控該些測(cè)試結(jié)構(gòu)的該電荷狀態(tài)。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括當(dāng)該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)的電容-電壓量變曲線中產(chǎn)生平帶電壓偏移時(shí)，決定該測(cè)試結(jié)構(gòu)的電荷狀態(tài)是否為均勻的。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括根據(jù)測(cè)得的該延遲反轉(zhuǎn)點(diǎn)信息的偏移而檢測(cè)該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)的邊緣充電效應(yīng)。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括針對(duì)該多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)，將探針直接置于該柵極與擴(kuò)散區(qū)域上，并利用該些探針監(jiān)控該電荷狀態(tài)。