[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板、液晶顯示面板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096603.6
• 申請(qǐng)日: 2007-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN101071243A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李承珪;樸源祥;金宰賢;趙容奭;呂庸碩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/522
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 戎志敏

1.一種液晶顯示面板，包括：

第一基板，包括：柵極線、數(shù)據(jù)線、與所述柵極線和數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管相連的反射電極，其中所述反射電極覆蓋所述柵極線的至少一部分；

第二基板，面對(duì)第一基板，并包括濾色器和公共電極，其中所述公共電極與所述反射電極形成電場(chǎng)；以及

液晶，設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，還包括與薄膜晶體管相連的像素電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，還包括外涂層，其中所述外涂層包括與所述反射電極重疊的第一端和第二端。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，還包括：

存儲(chǔ)電極，與所述薄膜晶體管的漏電極重疊，其中在所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極之間形成絕緣層，而且所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極形成第一存儲(chǔ)電容器；

第一存儲(chǔ)線，與所述存儲(chǔ)電極相連，并與所述柵極線的第一端相鄰；以及

第二存儲(chǔ)線，與所述像素電極重疊，其中在所述第二存儲(chǔ)線與所述像素電極之間形成絕緣層，而且所述第二存儲(chǔ)線與所述柵極線的第二端相鄰，并與所述像素電極形成第二存儲(chǔ)電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其中所述第二存儲(chǔ)線與在所述數(shù)據(jù)線長(zhǎng)度方向上彼此相鄰的至少兩個(gè)像素電極重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，還包括與所述數(shù)據(jù)線重疊的屏蔽圖案，其中所述屏蔽圖案的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，還包括：

存儲(chǔ)電極，與所述薄膜晶體管的漏電極相絕緣地重疊，其中在所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極之間形成絕緣層，而且所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極形成第一存儲(chǔ)電容器；

第一存儲(chǔ)線，與所述存儲(chǔ)電極相連，并與所述柵極線的第一端相鄰；以及

第二存儲(chǔ)線，與所述像素電極相絕緣地重疊，其中在所述第二存儲(chǔ)線與所述像素電極之間形成絕緣層，而且所述第二存儲(chǔ)線與所述柵極線的第二端相鄰，并與所述像素電極形成第二存儲(chǔ)電容器；

其中所述屏蔽圖案與所述第二存儲(chǔ)線電連接。

8.一種薄膜晶體管基板，包括：

在基板上形成的柵極線；

與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線絕緣；

與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；以及

反射電極，與所述薄膜晶體管相連，并覆蓋所述柵極線的至少一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，還包括與薄膜晶體管相連的像素電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，還包括：

存儲(chǔ)電極，與所述薄膜晶體管的漏電極重疊，其中在所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極之間形成絕緣層，而且所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極形成第一存儲(chǔ)電容器；

第一存儲(chǔ)線，與所述存儲(chǔ)電極相連，并與所述柵極線的第一端相鄰；以及

第二存儲(chǔ)線，與所述像素電極重疊，其中在所述第二存儲(chǔ)線與所述像素電極之間形成絕緣層，而且所述第二存儲(chǔ)線與所述柵極線的第二端相鄰，并與所述像素電極形成第二存儲(chǔ)電容器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基板，其中所述第二存儲(chǔ)線與在所述數(shù)據(jù)線長(zhǎng)度方向上彼此相鄰的至少兩個(gè)像素電極重疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，還包括與所述數(shù)據(jù)線重疊的屏蔽圖案，其中所述屏蔽圖案的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度寬。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，還包括：

存儲(chǔ)電極，與所述薄膜晶體管的漏電極重疊，其中在所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極之間形成絕緣層，而且所述存儲(chǔ)電極與所述漏電極形成第一存儲(chǔ)電容器；

第一存儲(chǔ)線，與所述存儲(chǔ)電極相連，并與所述柵極線的第一端相鄰；以及

第二存儲(chǔ)線，與所述像素電極重疊，其中在所述第二存儲(chǔ)線與所述像素電極之間形成絕緣層，而且所述第二存儲(chǔ)線與所述柵極線的第二端相鄰，并與所述像素電極形成第二存儲(chǔ)電容器；

其中所述屏蔽圖案與所述第二存儲(chǔ)線電連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基板，其中所述第二存儲(chǔ)線位于被提供具有不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)的兩個(gè)像素電極之間。