[發明專利]半導體存儲器

無效

• 申請號: 200710096582.8
• 申請日: 2007-04-16
• 公開（公告）號: CN101064311A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 三木隆;村久木康夫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L23/522
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種半導體存儲器，其特征在于：

具備：

在襯底上形成的、各自具有電容器的排列成行列狀的多個存儲單元；

各自共同地連接到在同一行中排列的上述多個存儲單元上的多條位線；

各自共同地連接到在同一列中排列的上述多個存儲單元上的多條字線和極板線；

在列方向上排列的多條極板電位供給線；以及

分別將該多條極板電位供給線的每一條與對應的上述多條極板線的每一條電連接的單元，

用比上述極板線的電阻低的材料構成上述極板電位供給線，

用氫阻擋膜覆蓋上述多個電容器的每一個的周圍，

在上述氫阻擋膜的下方配置上述多條極板電位供給線，

在平面上看配置了上述氫阻擋膜的區域內并在同一上述極板線的多個部位上將上述多條極板電位供給線與上述同一極板線進行了電連接。

2.如權利要求1中所述的半導體存儲器，其特征在于：

上述多條極板線分別兼作包含在上述同一列中排列的上述多個存儲單元的每一個的上述電容器的上部電極。

3.如權利要求1或2中所述的半導體存儲器，其特征在于：

由形成在上述襯底中的擴散層構成上述多條極板電位供給線。

4.如權利要求1或2中所述的半導體存儲器，其特征在于：

在與上述字線相同的層中形成了上述多條極板電位供給線。

5.如權利要求1至4的任一項中所述的半導體存儲器，其特征在于：

將被1個上述氫阻擋膜覆蓋的上述多個存儲單元在列方向上分割為至少2個存儲單元組，

將在同一列上排列的、屬于不同的上述存儲單元組的存儲單元連接到不同的極板線上。

6.如權利要求1至5的任一項中所述的半導體存儲器，其特征在于：

利用與上述極板電位供給線電連接的單元有選擇地使上述極板線工作。

7.如權利要求6中所述的半導體存儲器，其特征在于：

電連接上述極板線與上述極板電位供給線的單元是至少包含1個晶體管的選擇電路。

8.如權利要求7中所述的半導體存儲器，其特征在于：

將上述選擇電路中包含的晶體管中的至少1個晶體管的柵連接到上述字線上。

9.如權利要求1至5的任一項中所述的半導體存儲器，其特征在于：

使用布線和接觸插塞中的至少1個構成電連接上述極板線與上述極板電位供給線的單元，

直接電連接上述極板線與上述極板電位供給線。

10.如權利要求1至9的任一項中所述的半導體存儲器，其特征在于：

上述極板電位供給線是電源布線。

11.如權利要求1至10的任一項中所述的半導體存儲器，其特征在于：

上述電容器是強電介質電容器或高介電常數電介質電容器。

12.一種半導體存儲器，其特征在于：

具備：

在襯底上形成的、各自具有電容器的排列成行列狀的多個存儲單元；

各自共同地連接到在同一行中排列的上述多個存儲單元上的多條位線；

各自共同地連接到在同一列中排列的上述多個存儲單元上的多條字線；

對于該多條字線共同地設置的1條極板線；

在列方向上排列的多條極板電位供給線；以及

將該多條極板電位供給線與上述極板線電連接的單元，

用比上述極板線電阻低的材料構成上述極板電位供給線，

用氫阻擋膜覆蓋上述多個電容器的每一個的周圍，

在上述氫阻擋膜的下方配置上述多條極板電位供給線，

在平面上看配置了上述氫阻擋膜的區域內并在同一上述極板線的多個部位上將上述多條極板電位供給線與上述同一極板線進行了電連接。