[發明專利]薄膜磁頭和制造過程

無效

• 申請號: 200710096543.8
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101059963A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 芳田伸雄;渡邊克朗;大津孝佳
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李濤;鐘強

1.一種薄膜磁頭，包括：

傳感器膜；

上部屏蔽和下部屏蔽，用來沿所述傳感器膜的膜厚度方向施加電流；

一對第二絕緣膜，分別與所述傳感器膜的磁道寬度方向的兩側相鄰近地形成；

一對磁性膜，分別在所述傳感器膜的磁道寬度方向的兩側形成，并且所述一對磁性膜的每一個與所述一對第二絕緣膜中的相應一個鄰近；

一對第一絕緣膜，所述一對第一絕緣膜的每一個布置在所述一對第二絕緣膜中相應一個的所述傳感器膜的磁道寬度方向的外部；及

一對第三絕緣膜，所述一對第三絕緣膜的每一個布置在所述上部屏蔽與所述一對第一絕緣膜的相應一個之間，

其中，在空氣支承表面上，所述一對第二絕緣膜的每一個鄰近于所述一對磁性膜的相應一個的磁道方向的兩個壁表面，并且所述一對第三絕緣膜的每一個布置在所述一對第二絕緣膜的相應一個的磁道寬度方向的外部。

2.根據權利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述一對磁性膜是硬磁性膜。

3.根據權利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述一對磁性膜是軟磁性膜。

4.根據權利要求1所述的薄膜磁頭，其中，在所述一對第二絕緣膜的每一個的外邊緣與空氣支承表面上的所述下部屏蔽的表面之間形成90°或更小的角度。

5.根據權利要求1所述的薄膜磁頭，其中，所述一對第三絕緣膜的每一個在所述上部屏蔽側沒有角部。

6.一種薄膜磁頭的制造過程，該薄膜磁頭具有傳感器膜、和用來沿傳感器膜的膜厚度方向施加電流的一對上部屏蔽和下部屏蔽，該過程包括步驟：

在所述下部屏蔽上形成傳感器膜；

在所述傳感器膜上形成用來限定所述傳感器膜的帶高度的抗蝕劑，并且使用該抗蝕劑作為掩模進行蝕刻，以處理所述傳感器膜的帶高度；

形成第一絕緣膜，使得在通過處理所述帶高度而除去傳感器膜的部分包圍所述傳感器膜；

剝離抗蝕劑，以限定所述帶高度；

在傳感器膜上形成抗蝕劑，以限定所述傳感器膜的磁道寬度和處理所述第一絕緣膜的磁道方向的邊緣，并且使用該抗蝕劑作為掩模來進行蝕刻，以處理所述傳感器膜的磁道寬度和所述第一絕緣膜的磁道方向的邊緣；

在通過處理磁道寬度和所述第一絕緣膜的磁道方向的邊緣而除去所述傳感器膜和第一絕緣膜的部分，形成第二絕緣膜；

在所述第二絕緣膜上形成磁性膜；

剝離用來限定磁道寬度的抗蝕劑；

在所述第二絕緣膜外部的所述第一絕緣膜上形成第三絕緣膜；及

形成上部屏蔽，使得覆蓋所述傳感器膜、第一、第二及第三絕緣膜。

7.根據權利要求6所述的薄膜磁頭制造過程，其中，所述的形成第三絕緣膜的步驟包括形成剝離圖案的步驟、在形成所述剝離圖案之后形成所述第三絕緣膜的步驟、及剝離該剝離圖案和所述第三絕緣膜的多余部分的步驟；并且

其中，所述剝離圖案包括上部抗蝕劑和下部抗蝕劑，并且滿足5≤{(W2-W1)/2}/T≤10的條件，其中W2是上部抗蝕劑的磁道方向寬度、W1是下部抗蝕劑的磁道方向寬度、T是下部抗蝕劑的厚度。

8.根據權利要求7所述的薄膜磁頭制造過程，其中，所述上部抗蝕劑的磁道方向的邊緣位于所述第一絕緣膜上。

9.根據權利要求7所述的薄膜磁頭制造過程，其中，所述過程滿足條件：

0.1μm≤T≤0.5μm和

0.5μm≤(W2-W1)/2≤5μm。