[發明專利]磁傳感器和存儲裝置

無效

• 申請號: 200710096498.6
• 申請日: 2007-04-19
• 公開（公告）號: CN101114456A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 北島政充
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

技術領域

本發明涉及對來自磁盤的磁信息進行再現的磁傳感器。

背景技術

要求磁盤裝置增加其存儲容量，并且已經增加了磁盤的記錄密度。為了增加記錄密度，必須減少磁盤的比特之間的區域以增加可記錄的信號數量。然而，當比特之間的區域減小時，形成比特之間的區域的磁體的大小減小，于是，由該磁體產生的磁通量(magnetic?flux)也減小。因此，除非降低磁頭的飛行高度(flying?height)，否則無法將該磁通量提供給磁傳感器。

當降低磁頭的飛行高度時，容易使磁頭的氣墊面(air?bearing?surface)與磁盤接觸。當使氣墊面與磁盤接觸時，會因此產生熱。當由此產生的熱被傳導到例如磁傳感器時，該磁傳感器可能損壞，并且由此讀取的信號會帶有噪聲，使得所讀取信號的質量降低。

作為與磁傳感器有關的現有技術文獻，可以示例的方式提出日本特開第2000-215415號公報和日本特開第2002-026423號公報。

為了抑制熱的產生，例如，可以構想出一種方法，其中，減小用作屏蔽層和電極兩者并形成磁傳感器的屏蔽電極層的寬度，以減小其與磁盤接觸時的接觸表面積。然而，當減小了屏蔽電極層的寬度時，用于屏蔽磁阻效應元件使其免受從磁盤產生的磁通量的影響的屏蔽效果會發生劣化。

發明內容

一方面是一種磁傳感器，所述磁傳感器具有基于從介質產生的磁通量的大小來獲得信息的磁阻元件。所述磁傳感器包括：由磁性材料構成的兩個電極層，所述兩個電極層夾著所述磁阻元件，用于向所述磁阻元件施加電流；至少一個屏蔽層，所述至少一個屏蔽層用于屏蔽所述磁阻元件以使其免受所述磁通量的影響，被設置為與所述電極層中的至少一個的面向所述磁阻元件的表面相對；以及至少一個絕緣層，所述至少一個絕緣層用于使所述磁阻元件與所述屏蔽層熱絕緣，位于所述電極層中的所述至少一個與所述屏蔽層之間。

根據本發明，減小了所述電極層(其也被用作屏蔽層)的寬度，并且以其間設置有絕緣層的方式，將所述屏蔽層設置在上述電極層的面向所述磁阻效應元件的表面的相對側。因此，即使在使磁頭的氣墊面與磁盤發生接觸時，從電極層產生的熱也較少，并且由于絕緣層的存在，所以從屏蔽層產生的熱也不易被傳導到磁阻效應元件。此外，除了電極層之外還設置有屏蔽層，因此可以提高屏蔽效果。

附圖說明

圖1是根據本發明的實施例的磁盤裝置的立體圖；

圖2是示出了懸架、滑塊以及磁頭之間的位置關系的示意圖；

圖3是根據本發明的實施例1的磁頭的橫截面圖；

圖4是從記錄介質側觀看的根據本發明的實施例1的磁頭的圖；

圖5是示出了磁阻效應元件的結構的示意圖；

圖6是示出了釘扎層(pinned?layer)的結構的示意圖；

圖7是根據本發明的實施例2的磁頭的橫截面圖；

圖8是從記錄介質側觀看的根據本發明的實施例2的磁頭的圖；

圖9是示出了磁頭的橫截面圖；

圖10是從記錄介質側觀看的圖9中的磁頭的圖；

圖11是根據本發明的修改例的磁頭的橫截面圖；以及

圖12是從記錄介質側觀看的根據本發明的修改例的磁頭的圖。

具體實施方式

在下文中將參照附圖對本發明的實施例進行描述。

實施例1：

圖1是磁盤裝置的立體圖。磁盤9包括磁信息并且由主軸電機112快速旋轉。傳動臂114設置有由不銹鋼制成的懸架(suspension)115。此外，傳動臂116通過軸116可旋轉地固定于殼體118，并且傳動臂116沿磁盤9的半徑方向移動。因此，安裝到懸架115的滑塊119在磁盤9的上方移動，從而在軌道上執行對信息的記錄和再現。在殼體118中，固定有用于檢測再現信號的檢測電路裝置。該檢測電路裝置向磁頭的讀取部中的磁阻效應元件提供檢測電流，并測量該磁阻效應元件的電壓變化，以再現來自磁盤9的信息。

圖2是示出了磁盤9、懸架115、滑塊119以及磁頭120之間的位置關系的示意圖。滑塊119被安裝到懸架115從而形成頭懸架組件。當磁盤9快速旋轉時，空氣被引入滑塊119與磁盤9之間，使得滑塊119懸浮。形成在滑塊119前端的磁頭120經由設置在懸架115和傳動臂114上的絕緣導線而與檢測電路裝置電連接。為了讀取記錄在磁盤9上的信息，使用磁頭120的磁阻效應元件。即，滑塊119接收到來自磁盤9的記錄軌道的漏磁場，然后使其可以流進磁阻效應元件中。