[發(fā)明專利]焊接墊結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096391.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101290917A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱志忠;林世宗;林賢杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞電路板股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/498
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃健

1.一種焊接墊結(jié)構(gòu)，包含有：

(1)封裝基板，該封裝基板包含基材，該基材以傳統(tǒng)的線路增層法形成多層金屬導(dǎo)線層以及絕緣層；

(2)一層或多層的絕緣層，其形成至少一個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔；

(3)焊接墊本體，包括第一金屬層，其形成于該絕緣層上，并覆蓋住該導(dǎo)通孔；以及第二金屬層，其與該第一金屬層相疊以形成至少一凸出結(jié)構(gòu)；

(4)防焊阻劑層，其覆蓋于絕緣層上，并具有一個(gè)或多個(gè)阻劑開(kāi)孔，其中該阻劑開(kāi)孔顯露出所述的焊接墊本體的第二金屬層和部分第一金屬層的表面；

該焊接墊結(jié)構(gòu)還包含：錫球，該錫球填入該阻劑開(kāi)孔中，并與該焊接墊本體中的第一金屬層和第二金屬層相接觸，其中利用提高該錫球與該焊接墊本體的接觸面積，以減少錫球掉球或?qū)ó惓，F(xiàn)象。

2.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述阻劑開(kāi)孔的截面積被該錫球所填滿。

3.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述阻劑開(kāi)孔的孔徑為10微米至85微米。

4.如權(quán)利要求3所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述阻劑開(kāi)孔的孔徑為20微米至70微米。

5.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層的孔徑寬度為該阻劑開(kāi)孔的孔徑的1/3倍至1/4倍。

6.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述阻劑開(kāi)孔的深度為15微米至35微米。

7.如權(quán)利要求6所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述阻劑開(kāi)孔的深度為20微米至30微米。

8.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第一金屬層為具有導(dǎo)電性質(zhì)的金屬或其合金。

9.如權(quán)利要求8所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第一金屬層為銅、錫、銀、鉛、金、鎳、鉻或其合金。

10.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層為具有導(dǎo)電性質(zhì)的金屬或其合金。

11.如權(quán)利要求10所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層為銅、錫、銀、鉛、金、鎳、鉻或其合金。

12.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層的厚度為10微米至30微米。

13.如權(quán)利要求12所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層的厚度為15微米至20微米。

14.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣層為熱塑性樹(shù)脂。

15.如權(quán)利要求14所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述熱塑性樹(shù)脂為環(huán)氧樹(shù)脂或聚亞酰胺樹(shù)脂。

16.如權(quán)利要求15所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述熱塑性樹(shù)脂為環(huán)氧樹(shù)脂。

17.如權(quán)利要求16所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述環(huán)氧樹(shù)脂為ABF樹(shù)脂或BT樹(shù)脂。

18.如權(quán)利要求17所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述環(huán)氧樹(shù)脂為ABF樹(shù)脂。

19.如權(quán)利要求1所述的焊接墊結(jié)構(gòu)，其中所述焊接墊本體的表面可形成化鎳金、鎳銀、化錫、化銀或有機(jī)保焊劑材料層。