[發(fā)明專利]單模光纖

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710096317.X
• 申請日: 2007-04-10
• 公開（公告）號: CN101055331A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: L－A·德蒙里永;D·莫蘭;P·馬蒂日塞;F·戈奧伊熱爾;E·珀蒂弗雷爾;Y·呂米納奧;F·J·阿什唐;M·比戈－阿斯特呂克;P·西亞爾;P·努希
• 申請（專利權(quán)）人: 德雷卡通信技術(shù)公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 王茂華

1.一種傳輸光纖，包括：

-中央纖芯，具有與外光學(xué)包層之間的折射率差異Dn₁；

-第一中間包層，具有與所述外光學(xué)包層之間的折射率差異 Dn₂；

-第一凹陷包層，具有與所述外光學(xué)包層之間的低于或者等于-5 ×10^-3的折射率差異Dn₃；

-第二中間包層，具有與所述外光學(xué)包層之間的折射率差異 Dn₄；

-第二凹陷包層，具有與所述外光學(xué)包層之間的折射率差異 Dn₅，所述折射率差異Dn₅在絕對值上低于所述第一凹陷包層與所述 外光學(xué)包層之間的所述折射率差異Dn₃；

-其中所述中央纖芯與所述第一中間包層之間的折射率差異 (Dn₁-Dn₂)處于4.5×10^-3與6.0×10^-3之間；

-其中所述光纖具有低于或者等于1260nm的線纜截止波長，并 且在1625nm的波長處，對于15mm的彎曲半徑而言具有低于或者等 于0.1dB/10匝的彎曲損耗，對于7.5mm的彎曲半徑而言，具有低于 或者等于0.5dB/匝的彎曲損耗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第二凹陷包層與所述 外光學(xué)包層之間的所述折射率差異Dn₅處于-0.3×10^-3與-3×10^-3之 間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中對于處于5.0×10^-3與5.6 ×10^-3之間的與所述外光學(xué)包層之間的折射率差異Dn₁，所述中央纖 芯具有處于3.5μm與4.5μm之間的半徑r₁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第一中間包層具有處 于9μm與12μm之間的半徑r₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第一凹陷包層具有處 于14μm與16μm之間的半徑r₃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第二中間包層具有與 所述外光學(xué)包層之間約為零的折射率差異Dn₄。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第二中間包層具有處 于18μm與20μm之間的半徑r₄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述第二凹陷包層具有處 于25μm與40μm之間的半徑r₅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，在1625nm的波長處對于20mm 的彎曲半徑而言具有低于或者等于0.1dB/100匝的彎曲損耗。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，在1625nm的波長處對于10mm 的彎曲半徑而言具有低于或者等于0.2dB的彎曲損耗。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，在1625nm的波長處對于5mm 的彎曲半徑而言具有低于或者等于1dB/匝的彎曲損耗。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，上至1625nm的波長，具有低 于或者等于0.8dB/km的根據(jù)固定直徑鼓方法的微彎曲損耗。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，在1310nm的波長處具有處于 8.6μm與9.5μm之間的模場直徑(MFD)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，在1150nm處的模場直徑與有 效截止波長λ_Ceff之比(MAC)小于8.2。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，具有處于1300nm與1324nm 之間的零色散波長(λ₀)，其中在所述波長處具有低于或者等于0.092 ps/nm²/km的色散斜率。