[發明專利]膜圖案的形成方法、有源矩陣基板的制造方法

無效

• 申請號: 200710096194.X
• 申請日: 2007-04-18
• 公開（公告）號: CN101060071A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 守屋克之;平井利充
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/768;H05B33/10;G02F1/1362
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種膜圖案的形成方法，是在由設于基板上的圍堰劃分的圖案形成區域內配置功能液，以形成膜圖案的方法，其特征在于，具有：

在基板上配置第一圍堰形成材料，形成第一圍堰層的工序；和

在所述第一圍堰層上形成第二圍堰層的工序，

所述第一圍堰形成材料為有機材料，

所述第二圍堰層由被覆所述第一圍堰層的氟系樹脂材料構成。

2.根據權利要求1所述的膜圖案的形成方法，其特征在于，還具有：

在所述圖案形成區域內配置第一功能液的工序；

使所述圖案形成區域內的第一功能液干燥，形成第一干燥膜的工序；和

在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，

使所述第一功能液干燥而形成的第一干燥膜的膜厚形成得比所述第一圍堰層的厚度薄。

3.根據權利要求1或2所述的膜圖案的形成方法，其特征在于，還具有：

在所述圖案形成區域內配置功能液的工序；

使所述圖案形成區域內的功能液干燥，形成干燥膜的工序；和

對所述圍堰與所述干燥膜一并進行燒成的工序。

4.根據權利要求3所述的膜圖案的形成方法，其特征在于，

在所述圖案形成區域內層疊形成了多層干燥膜后，對該干燥膜與所述圍堰一并進行燒成。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的膜圖案的形成方法，其特征在于，

所述第二圍堰層形成得比所述第一圍堰層薄。

6.一種器件，其特征在于，具有：

利用權利要求1～5中任一項所述的形成方法在基板上形成的圍堰、被該圍堰包圍的圖案形成區域、形成于該圖案形成區域的膜圖案。

7.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，

其作為柵電極具備形成于所述圖案形成區域的膜圖案。

8.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，

其作為源電極具備形成于所述圖案形成區域的膜圖案。

9.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，

其作為漏電極具備形成于所述圖案形成區域的膜圖案。

10.一種電光學裝置，其特征在于，

其具備權利要求6～9中任一項所述的器件。

11.一種電子設備，其特征在于，

其具備權利要求10所述的電光學裝置。

12.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成柵極布線的第一工序；

在所述柵極布線上形成柵極絕緣膜的第二工序；

隔著所述柵極絕緣膜，層疊半導體層的第三工序；

在所述柵極絕緣膜之上形成源電極與漏電極的第四工序；

在所述源電極與所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；和

在配置了所述絕緣材料的基礎上形成像素電極的第六工序，

在所述第一工序、所述第四工序及所述第六工序的至少一個工序中采用權利要求1～5中任一項所述的膜圖案的形成方法。

13.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成源電極與漏電極的第一工序；

在所述源電極與漏電極上形成半導體層的第二工序；

在所述半導體層上隔著柵極絕緣膜形成柵電極的第三工序；和

形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，

在所述第一工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一個工序中采用權利要求1～5中任一項所述的膜圖案的形成方法。

14.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板上形成半導體層的第一工序；

在所述半導體層上隔著柵極絕緣膜形成柵電極的第二工序；

形成經由形成于所述柵極絕緣膜的接觸孔而與所述半導體層的源極區域連接的源電極、和與所述半導體層的漏極區域連接的漏電極的第三工序；和

形成與所述漏電極連接的像素電極的第四工序，

在所述第二工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一個工序中采用權利要求1～5中任一項所述的膜圖案的形成方法。