[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096164.9
• 申請(qǐng)日: 2007-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN101060122A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廣島崇;五嶋一智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體基板上設(shè)有二極管元件，其特征在于， 包括第一導(dǎo)電型的阱層，第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)層和第二導(dǎo)電型的第二雜 質(zhì)層，

所述第一導(dǎo)電型的阱層與第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)層通過PN結(jié)形成所 述二極管，

所述第一導(dǎo)電型的阱層形成在所述半導(dǎo)體基板上，與所述二極管元件 的陰極電極連接；

所述第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)層與所述二極管元件的陽極電極連接，并 且在所述阱層內(nèi)形成島狀；

所述第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)層與所述二極管元件的陰極電極連接，在 所述阱層內(nèi)與所述第一雜質(zhì)層分開而形成并包圍所述第一雜質(zhì)層而形成環(huán) 狀；

在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上隔著絕緣膜而 形成有電極層，所述電極層包圍所述第一雜質(zhì)層而形成環(huán)狀，

由所述第一雜質(zhì)層、所述阱層以及所述第二雜質(zhì)層構(gòu)成橫向型的雙極 晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電極層與所述 陰極電極連接。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電極層與所述 陽極電極連接。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上設(shè)有元件分離 絕緣膜。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述元件分離絕緣 膜為溝道絕緣膜。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述阱 層是逆向型的阱層。