[發明專利]集成電路設計的制造方法與系統

有效

• 申請號: 200710096159.8
• 申請日: 2007-04-13
• 公開（公告）號: CN101055850A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 曾乙弘;吳冠良
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

相關專利申請的交叉參考

本發明主張于2006年4月14日所申請的U.S.Ser.No.60/792,273的優先權，該申請通過參考援引于此。

技術領域

本發明有關于一種半導體制造工藝，可局部移除多項目晶片上的集成電路。此應用相較于過去以晶粒方式提供成品給使用者，可順利提供完整多項目晶片給單一使用者做電路測量之用以節省所需時間及人力，也沒有需公開其他使用者電路設計的顧慮。

背景技術

隨著VLSI技術的進步，半導體的掩模(mask)成本亦隨之增加。目前業界多采用掩模共乘方案(shuttle?mask?solution)(亦即所謂的“多項目晶片(MPW，multi-project?wafer)”來節省研發成本，此方案的想法是，通過合并不同電路的晶片設計在同一套掩模組(mask?set)之上，以分攤成本。目前此方案已被廣泛地應用在產品試制(product?prototyping)及小量生產(small?volumeproduction)的應用上。

由于將多個使用者電路設計同時合并于掩模上，完成的多項目晶片將同時具有多個客戶的電路，這些電路分別屬于各個客戶的專用電路設計信息(proprietary?information)，其保密性非常重要。目前的做法是對于制作完成的多項目晶片先進行切割，分別取出各使用者的晶粒，放置在托盤(waffle?tray)之中，分別寄送給各個使用者。

雖然可通過上述技術以避免將客戶的專用電路設計信息公開給其他的客戶，但仍無法滿足一般客戶的需求。舉例而言，由于僅提供個別晶粒(非整個晶片)，使用者常因無法一并驗證晶片級測試(wafer-level?testing)或封裝(packing)程序而必須延長其即時上市的時間(time-to-market)，此外很難通過裸晶粒(bare?dies)大量搜集電路的統計特性(statistical?circuit?information)。因此，如何在保護其他使用者的知識產權的前提下，讓多項目晶片使用者可順利取得完整的多項目晶片，進行晶片級測試與封裝是非常重要的。因此實施本方明解決此問題。

發明內容

鑒于以上現有技術的缺失，提出本發明。

本發明提供了一種集成電路設計的制造方法。本發明的集成電路設計的制造方法包括：在單一多項目晶片上制作出兩種或兩種以上的不同集成電路設計；對包括多個集成電路設計中的至少一個集成電路設計的區域進行定義，對區域外側的多項目晶片的至少一部分進行變更、破壞或電路移除等調整作業，以及將經變更、破壞或電路移除的多項目晶片提供給使用者。

如上所述的集成電路設計的制造方法，其中，對該區域的外側的多項目晶片的至少一部分進行調整的步驟包括：將兩種或兩種以上的不同集成電路設計中的至少一個集成電路設計的一部分定義為保留區域，以及對于剩余區域的至少一個集成電路設計的一部分進行調整。在部分實施例中，對來自多項目晶片中的至少一個集成電路設計的一部分進行變更、破壞或電路移除的步驟包括：利用激光開槽工藝對多個集成電路設計中的至少一個集成電路設計進行破壞。激光開槽工藝包括：當激光光束通過加壓流體室時，將激光光束聚集在噴嘴之上；將液體自噴嘴射出以引導激光光束；以及利用經導引的激光光束對多項目晶片中的至少一個集成電路的一部分進行破壞。在部分實施例中，由噴嘴射出的流體可采用水，如此可以減少多項目晶片的熱損害。

在部分實施例中，對多項目晶片中的至少一個集成電路設計的一部分進行破壞或電路移除的步驟包括：利用鉆石鋸片對多個集成電路設計中的至少一個集成電路設計的一部分進行破壞或電路移除。在部分實施例中，對多項目晶片中的至少一個集成電路設計的一部分進行破壞或電路移除的步驟包括：利用非噴水引導式激光對于多個集成電路設計中的至少一個集成電路設計的一部分進行破壞或電路移除。

如上所述的集成電路設計的制造方法，其中，該區域包括來自該使用者的多個集成電路。

如上所述的集成電路設計的制造方法，其中，該區域包括多個非專用成份。

本發明還提供了一種系統，此系統是用以制造多項目晶片。本發明的系統包括：夾盤，用于支承多項目晶片，多項目晶片包括多個晶粒；以及機構，可在對于多個晶粒中的至少一個晶粒進行移除時不造成其他晶粒的變更。在部分實施例中，機構可包括：激光光束，聚集于噴嘴之上，激光光束通過加壓流體室；以及流體射流，自噴嘴射出至多項目晶片的表面上，流體射流導引激光光束以對多個晶粒中的至少一個晶粒進行破壞或電路移除。在部分實施例中，流體射流可用以導引液體至多項目晶片。