[發(fā)明專利]電極及其制造方法,以及具有該電極的半導(dǎo)體器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096149.4
• 申請(qǐng)日: 2007-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN101060087A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口昌浩;中村博文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 爾必達(dá)存儲(chǔ)器株式會(huì)社;NEC凸版電子基板株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L25/00;H01L23/488
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 谷惠敏;鐘強(qiáng)

1.一種電極制造方法，包括以下步驟：從其背面刻蝕金屬板，由此形成金屬柱，該金屬柱具有由所述金屬板的厚度決定的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的電極制造方法，在形成所述金屬柱的步驟之前，還包括以下步驟：在所述金屬板的表面上形成布線板和在所述布線板上安裝半導(dǎo)體芯片并對(duì)其進(jìn)行樹脂密封。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的電極制造方法，其中形成所述布線板的步驟包括以下若干步驟：通過在所述金屬板的表面上涂敷抗電鍍劑、對(duì)所述抗電鍍劑進(jìn)行構(gòu)圖、然后電鍍從而形成焊盤，形成用于保護(hù)所述焊盤的絕緣樹脂層，以及在所述絕緣樹脂層中形成穿通孔以由此形成連接到所述焊盤的電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的電極制造方法，其中所述焊盤通過依次電鍍鎳、金、鎳和銅來形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的電極制造方法，其中通過鍍銅形成所述電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的電極制造方法，其中形成所述金屬柱的步驟包括：在所述金屬板的背面上涂敷抗蝕劑，對(duì)所述抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖以提供用于保留與焊盤相對(duì)應(yīng)的所述金屬板的區(qū)域的圖形，以及利用所述圖形刻蝕所述金屬板。

7.一種通過根據(jù)權(quán)利要求1的電極制造方法制造的電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的電極，其中所述金屬柱由包含銅作為主要成分的金屬板形成。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括通過根據(jù)權(quán)利要求1的電極制造方法制造的電極。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中具有所述金屬柱的封裝被用作上封裝，并且所述金屬柱和下封裝的焊盤通過焊接連接在一起。